[发明专利]一种光电耦合器封装电镀工艺

摘要

本发明公开了一种光电耦合器封装电镀工艺，其特征在于包括下列步骤：(1)固晶；(2)第一次高温烘烤固化；(3)焊线；(4)点胶；(5)第二次高温烘烤固化；(6)白胶封装；(7)第三次高温烘烤固化；(8)残胶切除；(9)镀锡作业；(10)黑胶封装；(11)第四次高温烘烤固化；(12)最后对产品引脚进行弯折成型。在此工艺下制成的光电耦合器，镀层覆盖率能达到99.9％以上，不良基本杜绝，极大的提高了生产效率及产品质量稳定性。

主权项

1.一种光电耦合器封装电镀工艺，其特征在于包括下列步骤：(1)固晶，在引线框架的发射和接收芯片固定位置上点上导电银胶，然后在导电银胶上安放红外发射和红外接收芯片；(2)第一次高温烘烤固化，使导电银胶将红外发射和红外接收芯片粘结固化在引线框架指定位置上；(3)焊线，将红外发射和红外接收芯片的焊点与引线框架焊接；(4)点胶，在红外发射和红外接收芯片区域点胶，利用硅胶特有的流动性及聚变性，将红外发射和红外接收芯片完全包裹保护起来；(5)第二次高温烘烤固化，将硅胶进一步固化；(6)白胶封装，采用模压机将白色环氧树脂挤压填充；(7)第三次高温烘烤固化，烘烤固化温度为160℃～180℃，烘烤时间为3～4小时，以使光电耦合器内部结构形成；(8)残胶切除，切除不必要的胶体流道及限流框体；(9)镀锡作业，对胶体外部露出的金属引脚进行镀锡保护；(10)黑胶封装，采用模压机将黑色环氧树脂挤压填充；(11)第四次高温烘烤固化，使封装的黑色环氧树脂成型并彻底固化；(12)最后对产品引脚进行弯折成型。