[发明专利]基于纳米片堆叠结构的生化传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201711398837.6 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109950157A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 张青竹;屠海令;魏峰;赵鸿滨;杜军 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L27/12;G01N27/327 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于纳米片堆叠结构的生化传感器及其制作方法。该生化传感器包括：SOI衬底、通过选择性刻蚀由牺牲层/敏感材料层构成的多堆叠层而形成的具有敏感材料的多层悬空堆叠结构、形成在多层悬空堆叠结构上的阳电极和阴电极、附着在多层悬空堆叠结构表面的以活性基团结尾的活性薄膜；生化传感器工作时，阳电极、阴电极分别与可调电压源的正极以及电流表的负极相连，可调电压源的负极与电流表的正极相连。其制作方法包括：清洗硅片；生长牺牲层/敏感材料层的多堆叠层；图形化多堆叠层；制作电极；选择性刻蚀多堆叠层中的牺牲层部分；活性试剂修饰。本发明的生化传感器成本低、灵敏度和精度高；本发明能够高效、低成本地批量制造生化传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 生化传感器 堆叠结构 堆叠层 牺牲层 多层 正极 可调电压源 敏感材料层 选择性刻蚀 负极 悬空 电流表 纳米片 阳电极 阴电极 制作 活性薄膜 活性基团 活性试剂 敏感材料 批量制造 灵敏度 电极 低成本 图形化 硅片 衬底 附着 修饰 结尾 清洗 生长 | ||
【主权项】：
1.一种基于纳米片堆叠结构的生化传感器，其特征在于，包括：SOI衬底、通过选择性刻蚀由牺牲层/敏感材料层构成的多堆叠层而形成的具有敏感材料的多层悬空堆叠结构、形成在多层悬空堆叠结构上的阳电极和阴电极、附着在多层悬空堆叠结构表面的以活性基团结尾的活性薄膜；该生化传感器工作时，阳电极、阴电极分别与可调电压源的正极以及电流表的负极相连，可调电压源的负极与电流表的正极相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
