[发明专利]半导体器件

摘要

本发明构思涉及一种半导体器件。有源图案从衬底突出。有源图案包括第一有源图案、与第一有源图案间隔开第一距离的第二有源图案、以及与第二有源图案间隔开大于第一距离的第二距离的第三有源图案。栅极间隔物设置在跨越有源图案的栅电极的侧壁上。源极/漏极区域包括设置在有源图案中的一个的区域上的第一源极/漏极区域至第三源极/漏极区域。有源图案中的一个的所述区域邻近于栅电极的一侧设置。第一保护绝缘图案和第二保护绝缘图案分别设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域下面的第一有源图案与第二有源图案之间以及在第二源极/漏极区域和第三源极/漏极区域下面的第二有源图案与第三有源图案之间的衬底上。

主权项

1.一种半导体器件，包括：从衬底突出的多个有源图案，其中所述多个有源图案包括第一有源图案、与所述第一有源图案间隔开第一距离的第二有源图案、与所述第二有源图案间隔开大于所述第一距离的第二距离的第三有源图案；跨越所述多个有源图案的栅电极；在所述栅电极的侧壁上的栅极间隔物；多个源极/漏极区域，其包括第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域和第三源极/漏极区域，所述多个源极/漏极区域的每个设置在所述多个有源图案中的一个的区域上，其中所述多个有源图案中的一个的所述区域邻近于所述栅电极的一侧设置；第一保护绝缘图案，其设置于在所述第一有源图案与所述第二有源图案之间且在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域下面的所述衬底上；以及第二保护绝缘图案，其设置于在所述第二有源图案与所述第三有源图案之间且在所述第二源极/漏极区域和所述第三源极/漏极区域下面的所述衬底上。