[发明专利]半导体器件

说明书

本发明构思涉及一种半导体器件。有源图案从衬底突出。有源图案包括第一有源图案、与第一有源图案间隔开第一距离的第二有源图案、以及与第二有源图案间隔开大于第一距离的第二距离的第三有源图案。栅极间隔物设置在跨越有源图案的栅电极的侧壁上。源极/漏极区域包括设置在有源图案中的一个的区域上的第一源极/漏极区域至第三源极/漏极区域。有源图案中的一个的所述区域邻近于栅电极的一侧设置。第一保护绝缘图案和第二保护绝缘图案分别设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域下面的第一有源图案与第二有源图案之间以及在第二源极/漏极区域和第三源极/漏极区域下面的第二有源图案与第三有源图案之间的衬底上。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件。

背景技术

半导体器件包括在其中金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)彼此连接以执行半导体器件的各种操作的集成电路。随着半导体器件的尺寸逐渐减小以及设计规则逐渐减少，MOSFET的尺寸也按比例缩小。

发明内容

根据本发明构思的一示例性实施方式，一种半导体器件提供如下。多个有源图案从衬底突出。所述多个有源图案包括第一有源图案、与第一有源图案间隔开第一距离的第二有源图案、以及与第二有源图案间隔开大于第一距离的第二距离的第三有源图案。栅电极跨越第一有源图案至第三有源图案。栅极间隔物设置在栅电极的侧壁上。多个源极/漏极区域包括第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域和第三源极/漏极区域，所述多个源极/漏极区域的每个设置在所述多个有源图案中的一个的区域上。所述多个有源图案中的一个的所述区域邻近于栅电极的一侧设置。第一保护绝缘图案设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域下面的第一有源图案与第二有源图案之间的衬底上。第二保护绝缘图案设置在第二源极/漏极区域和第三源极/漏极区域下面的第二有源图案与第三有源图案之间的衬底上。

根据本发明构思的一示例性实施方式，第一保护绝缘图案具有第一厚度，第二保护绝缘图案具有小于第一厚度的第二厚度。

根据本发明构思的一示例性实施方式，半导体器件还包括每个覆盖所述多个源极/漏极区域中的一个的侧壁的多个接触蚀刻停止图案。第一保护绝缘图案连接到栅极间隔物，第二保护绝缘图案连接到所述多个接触蚀刻停止图案中的一个。

根据一示例性实施方式，第一保护绝缘图案包括与栅极间隔物的材料相同的材料，第二保护绝缘图案包括与所述多个接触蚀刻停止图案的每个的材料相同的材料。

根据本发明构思的一示例性实施方式，第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域的相对侧壁彼此接触，使得气隙设置在由第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域的相对侧壁限定的空间中。第一保护绝缘图案设置在所述空间下方，使得气隙包括由第一保护绝缘图案限定的底表面。

根据一示例性实施方式，栅极间隔物包括顺序地设置在栅电极的侧壁上的第一栅极间隔物和第二栅极间隔物，并且第一栅极间隔物和第二栅极间隔物包括彼此不同的材料。

根据本发明构思的一示例性实施方式，第一保护绝缘图案包括顺序地堆叠在衬底上的第一子保护绝缘图案和第二子保护绝缘图案。第一子保护绝缘图案包括与第一栅极间隔物的材料相同的材料。第二子保护绝缘图案包括与第二栅极间隔物的材料相同的材料。

根据本发明构思的一示例性实施方式，半导体器件还包括共同连接到第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域的第一源极/漏极接触、以及连接到第三源极/漏极区域的第二源极/漏极接触。