[发明专利]晶圆侧边去光阻方法有效
| 申请号： | 201711392379.5 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108039316B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 周世均;陈力钧;朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆侧边去光阻方法，提供晶圆，所述晶圆具有相对的正面和背面以及连接所述正面和所述背面的侧边，所述晶圆上形成有光阻层；提供光源，使光至少照射到所述侧边且不照射到所述正面，引起光阻层的光学反应；最后去除反应掉的所述光阻层。该方法使用光学原理，通过调整所述晶圆侧边被光照射到的范围，以此来达到调整所述晶圆侧边高度，最后去除反应掉的所述光阻，从而到达高精度控制光阻在晶圆侧边形貌的能力，而且，即使晶圆侧边位置有偏移，但只要光的方向不变，就不会对晶圆侧边产生影响。这种方法形成的光阻在晶圆侧边位置的准确性和边缘的均一性非常好。 | ||
| 搜索关键词： | 侧边 去光阻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆侧边去光阻方法，其特征在于，包括，提供晶圆，所述晶圆具有相对的正面和背面以及连接所述正面和所述背面的侧边，所述晶圆上形成有光阻层；提供光源，使光至少照射到所述侧边且不照射到所述正面，引起光阻层的光学反应；去除反应掉的所述光阻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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