[发明专利]一种半导体功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711392314.0 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109950305A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 朱辉;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 阳开亮 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为克服现有半导体功率器件中存在对界面电荷敏感，影响器件寿命以及导致器件反向耐压能力降低的问题，本发明提供了一种半导体功率器件，包括衬底、初氧层、第一偏移场板和第二偏移场板，衬底的表面内侧形成有场限环，第二偏移场板位于所述第一偏移场板和所述场限环之间，第一偏移场板和所述第二偏移场板电耦合，且第二偏移场板与衬底由所述初氧层阻隔以形成有第一电容区，第一偏移场板延伸出第二偏移场板的部分与衬底之间形成有第二电容区，第一电容区单位面积的电容大于第二电容区单位面积的电容。同时，本发明还公开了上述半导体功率器件的制备方法。本发明提供的半导体功率器件具有较高的抗击穿电压和较强的抗界面电场干扰能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体功率器件 偏移场 第一偏移 电容区 场板 衬底 电容 场限环 氧层 制备 反向耐压能力 界面电场 界面电荷 影响器件 耦合 抗击穿 板电 阻隔 敏感 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括衬底、初氧层、第一偏移场板和第二偏移场板，所述衬底的表面内侧形成有场限环，所述初氧层位于所述衬底的表面外侧，所述第一偏移场板的头端与所述场限环电耦合，所述第一偏移场板的尾端朝所述场限环的环外方向偏移，所述第二偏移场板位于所述第一偏移场板和所述场限环之间，所述第一偏移场板和所述第二偏移场板电耦合，且所述第二偏移场板与所述衬底由所述初氧层阻隔以形成有第一电容区，所述第一偏移场板的尾端延伸出所述第二偏移场板，且所述第一偏移场板延伸出所述第二偏移场板的部分与所述衬底之间形成有第二电容区，所述第一电容区单位面积的电容大于所述第二电容区单位面积的电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司，未经比亚迪股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711392314.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
