[发明专利]一种半导体功率器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括衬底、初氧层、第一偏移场板和第二偏移场板，所述衬底的表面内侧形成有场限环，所述初氧层位于所述衬底的表面外侧，所述第一偏移场板的头端与所述场限环电耦合，所述第一偏移场板的尾端朝所述场限环的环外方向偏移，所述第二偏移场板位于所述第一偏移场板和所述场限环之间，所述第一偏移场板和所述第二偏移场板电耦合，且所述第二偏移场板与所述衬底由所述初氧层阻隔以形成有第一电容区，所述第一偏移场板的尾端延伸出所述第二偏移场板，且所述第一偏移场板延伸出所述第二偏移场板的部分与所述衬底之间形成有第二电容区，所述第一电容区单位面积的电容大于所述第二电容区单位面积的电容。

2.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件还包括绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖于所述初氧层和所述第二偏移场板上，所述第一偏移场板位于所述绝缘介质层上，所述绝缘介质层上开有供所述第一偏移场板和所述第二偏移场板电耦合的第一接触孔和供所述第一偏移场板和所述场限环电耦合的第二接触孔，在所述第二电容区处，所述第一偏移场板和所述衬底之间由所述初氧层和所述绝缘介质层阻隔。

3.根据权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件还包括钝化层，所述钝化层位于所述绝缘介质层上，所述第一偏移场板的尾端与所述衬底之间形成有第三电容区，所述第二电容区单位面积的电容大于所述第三电容区单位面积的电容，所述第三电容区位于所述第二电容区背离所述第一电容区的一侧，在所述第三电容区处，所述第一偏移场板和所述衬底之间由所述初氧层、所述绝缘介质层和所述钝化层阻隔。

4.根据权利要求3所述的半导体功率器件，其特征在于，所述钝化层包括有斜坡部和平整部，所述第三电容区包括第四电容区和第五电容区，所述第四电容区位于所述第二电容区和第五电容区之间，所述第二电容区单位面积的电容大于所述第四电容区单位面积的电容，所述第四电容区单位面积的电容大于所述第五电容区单位面积的电容；

在所述第四电容区处，所述第一偏移场板和所述衬底之间由所述初氧层、所述绝缘介质层和所述斜坡部阻隔；

在所述第五电容区处，所述第一偏移场板和所述衬底之间由所述初氧层、所述绝缘介质层和所述平整部阻隔。

5.根据权利要求3或4所述的半导体功率器件，其特征在于，所述衬底上形成有多个所述场限环，多个所述场限环由内至外同心设置，对应的，所述第一偏移场板、所述第二偏移场板和所述钝化层也均为多个，多个第一偏移场板、多个第二偏移场板、多个钝化层和多个场限环一一对应设置，位于内部的第一偏移场板的尾端延伸至位于外部的第一偏移场板的头端，且位于内部的第一偏移场板的尾端和位于外部的第一偏移场板的头端之间由所述钝化层阻隔。

6.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件还包括第三偏移场板和第四偏移场板，所述衬底的表面内侧形成有截止环，所述截止环与所述场限环同心设置，且所述截止环位于所述场限环的外部，所述第三偏移场板的头端与所述截止环电耦合，所述第三偏移场板的尾端朝所述截止环的环内方向偏移，所述第四偏移场板位于所述第三偏移场板和所述截止环之间，所述第三偏移场板和所述第四偏移场板电耦合，且所述第四偏移场板与所述衬底由所述初氧层阻隔，所述第三偏移场板的尾端延伸出所述第四偏移场板。

7.根据权利要求6所述的半导体功率器件，其特征在于，所述第一偏移场板和所述第三偏移场板为金属接触场板，所述第二偏移场板和所述第四偏移场板为多晶硅场板。

8.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件还包括保护层，所述保护层覆盖于所述第一偏移场板外部。