[发明专利]基于GaN的四原色LED芯片

摘要

本发明涉及一种基于GaN的四原色LED芯片，包括：依次层叠设置于所述衬底(11)之上的蓝光缓冲层(101)、蓝光稳定层(102)、蓝光n型层(103)、蓝光有源层(104)、蓝光阻挡层(105)、蓝光p型层(106)，设置于所述蓝光缓冲层(101)之上的第一红光结构(21)、第一绿光结构(31)、第二红光结构(22)、第二绿光结构(32)，位于所述蓝光p型层(106)、所述第一红光结构(21)、所述第一绿光结构(31)、所述第二红光结构(22)、所述第二绿光结构(32)之上的第一氧化隔离层(107)，位于所述第一氧化隔离层(107)内的电极。本发明实施例，该四原色LED芯片将四色发光材料集成到单一芯片上，制备工艺简单，制作成本较低，且制备出的四原色LED芯片发光效率高、集成度高体积小。

主权项

1.一种基于GaN的四原色LED芯片，其特征在于，包括：依次层叠设置于衬底(11)之上的蓝光缓冲层(101)、蓝光稳定层(102)、蓝光n型层(103)、蓝光有源层(104)、蓝光阻挡层(105)、蓝光p型层(106)，设置于所述蓝光缓冲层(101)之上的第一红光结构(21)、第一绿光结构(31)、第二红光结构(22)、第二绿光结构(32)，位于所述蓝光p型层(106)、所述第一红光结构(21)、所述第一绿光结构(31)、所述第二红光结构(22)、所述第二绿光结构(32)之上的第一氧化隔离层(107)，位于所述第一氧化隔离层(107)内的电极。