[发明专利]基于GaN的四原色LED芯片

说明书

本发明涉及一种基于GaN的四原色LED芯片，包括：依次层叠设置于所述衬底(11)之上的蓝光缓冲层(101)、蓝光稳定层(102)、蓝光n型层(103)、蓝光有源层(104)、蓝光阻挡层(105)、蓝光p型层(106)，设置于所述蓝光缓冲层(101)之上的第一红光结构(21)、第一绿光结构(31)、第二红光结构(22)、第二绿光结构(32)，位于所述蓝光p型层(106)、所述第一红光结构(21)、所述第一绿光结构(31)、所述第二红光结构(22)、所述第二绿光结构(32)之上的第一氧化隔离层(107)，位于所述第一氧化隔离层(107)内的电极。本发明实施例，该四原色LED芯片将四色发光材料集成到单一芯片上，制备工艺简单，制作成本较低，且制备出的四原色LED芯片发光效率高、集成度高体积小。

技术领域

本发明属于LED芯片技术领域，具体涉及一种基于GaN的四原色LED芯片。

背景技术

LED发光芯片，主要功能是把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅,是液晶显示屏的主要组成部件。四色技术推翻了彩色电视诞生以来所采用的红、绿、蓝三原色组合来表现色彩的显示方式，所谓四色技术，就是指在传统液晶面板的RGB(红、绿、蓝)三原色基础上新增加了一个颜色——黄色。通过四色面板技术和电视机回路技术的组合，实现了高画面质量图像的广色域化和高精细化，还有助于大幅降低能源消耗，四原色技术的问世，使普通三原色很难精确描绘的颜色得以准确表现，这是电视机半个世纪历史的革新。

但现有的四原色LED芯片通过采用将红色、绿色、蓝色、黄色芯片封装成一个单独的器件使其发出白色的光，采用封装工艺制备的器件会带来体积较大，集成度差，可靠性差等一系列问题，因此如何研制一种高集成度且发光效率高的四原色LED芯片是目前研究的热点问题。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种基于GaN的四原色LED芯片。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明实施例提供了一种基于GaN的四原色LED芯片，包括：

依次层叠设置于所述衬底11之上的蓝光缓冲层101、蓝光稳定层102、蓝光n型层103、蓝光有源层104、蓝光阻挡层105、蓝光p型层106，设置于所述蓝光缓冲层101之上的第一红光结构21、第一绿光结构31、第二红光结构22、第二绿光结构32，位于所述蓝光p型层106、所述第一红光结构21、所述第一绿光结构31、所述第二红光结构22、所述第二绿光结构32之上的第一氧化隔离层107，位于所述第一氧化隔离层107内的电极。

在本发明的一个实施例中，还包括第二氧化隔离层12和第三氧化隔离层22，其中，所述第二氧化隔离层12设置于所述第一红光结构21和所述第二红光结构22沿出光方向的四周，所述第三氧化隔离层22设置于所述第一绿光结构31和第二绿光结构32沿出光方向的四周。

在本发明的一个实施例中，所述第一红色结构21和所述第二红色结构22结构相同，均包括依次层叠设置的红光GaN缓冲层201、红光n型GaAs缓冲层202、红光n型GaAs稳定层203、红光发光结构204、红光p型A1GaInP阻挡层205、红光接触层206。

在本发明的一个实施例中，所述第一绿色结构31和所述第二绿色结构32结构相同，均包括依次层叠设置的绿光GaN缓冲层301、绿光GaN稳定层302、绿光n型GaN层303、绿光发光结构304、绿光p型AlGaN阻挡层305、绿光接触层306。

在本发明的一个实施例中，所述电极包括上电极51和下电极52，所述上电极51包括蓝光上电极、第一红光上电极、第一绿光上电极、第二红光上电极、第二绿光上电极。

在本发明的一个实施例中，所述下电极52为共用下电极。

在本发明的一个实施例中，所述第一氧化隔离层107、第二氧化隔离层12、第三氧化隔离层22材料均为SiO2。