[发明专利]基于GaN的四原色LED芯片

权利要求书

1.一种基于GaN的四原色LED芯片，其特征在于，包括：依次层叠设置于衬底(11)之上的蓝光缓冲层(101)、蓝光稳定层(102)、蓝光n型层(103)、蓝光有源层(104)、蓝光阻挡层(105)、蓝光p型层(106)，设置于所述蓝光缓冲层(101)之上的第一红光结构(21)、第一绿光结构(31)、第二红光结构(22)、第二绿光结构(32)，位于所述蓝光p型层(106)、所述第一红光结构(21)、所述第一绿光结构(31)、所述第二红光结构(22)、所述第二绿光结构(32)之上的第一氧化隔离层(107)，位于所述第一氧化隔离层(107)内的电极。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括第二氧化隔离层(12)和第三氧化隔离层(22)，其中，所述第二氧化隔离层(12)设置于所述第一红光结构(21)和所述第二红光结构(22)沿出光方向的四周，所述第三氧化隔离层(22)设置于所述第一绿光结构(31)和第二绿光结构(32)沿出光方向的四周。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一红色结构(21)和所述第二红色结构(22)结构相同，均包括依次层叠设置的红光GaN缓冲层(201)、红光n型GaAs缓冲层(202)、红光n型GaAs稳定层(203)、红光发光结构(204)、红光p型A1GaInP阻挡层(205)、红光接触层(206)。

4.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一绿色结构(31)和所述第二绿色结构(32)结构相同，均包括依次层叠设置的绿光GaN缓冲层(301)、绿光GaN稳定层(302)、绿光n型GaN层(303)、绿光发光结构(304)、绿光p型AlGaN阻挡层(305)、绿光接触层(306)。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述电极包括上电极(51)和下电极(52)，所述上电极(51)包括蓝光上电极、第一红光上电极、第一绿光上电极、第二红光上电极、第二绿光上电极。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述下电极(52)为共用下电极。

7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一氧化隔离层(107)、第二氧化隔离层(12)、第三氧化隔离层(22)材料均为SiO2。

8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一红光结构(21)、所述第一绿光结构(31)、所述第二红光结构(22)、所述第二绿光结构(32)横截面均为矩形。

9.根据权利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述矩形的长和宽相等。

10.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底(11)为SiC材料或者蓝宝石材料。