[发明专利]基于硅衬底的三维场效应管的制作方法在审
| 申请号： | 201711371491.0 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108010849A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种基于硅衬底的三维场效应管的制作方法，包括：在硅衬底表面形成绝缘层，其中所述绝缘层覆盖鳍部结构；对所述绝缘层进行减薄，以使所述鳍部结构的主体露出所述绝缘层；在所述鳍部结构的主体表面形成氮化硅层，所述氮化硅层覆盖所述鳍部结构的主体表面并且覆盖所述绝缘层；对所述氮化硅层进行刻蚀，以去除所述绝缘层表面的氮化硅；对所述绝缘层进行刻蚀，以去除所述氮化硅层下方的绝缘层并使所述鳍部结构与所述绝缘层交界的部分暴露出来；对所述鳍部结构与所述绝缘层交界的部分进行刻蚀，以在所述鳍部结构形成悬空的沟道区域；在所述鳍部结构的沟道区域表面形成栅氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 衬底 三维 场效应 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于硅衬底的三维场效应管的制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底表面形成绝缘层，其中所述绝缘层覆盖鳍部结构；对所述绝缘层进行减薄，以使所述鳍部结构的主体露出所述绝缘层；在所述鳍部结构的主体表面形成氮化硅层，所述氮化硅层覆盖所述鳍部结构的主体表面并且覆盖所述绝缘层；对所述氮化硅层进行刻蚀，以去除所述绝缘层表面的氮化硅；对所述绝缘层进行刻蚀，以去除所述氮化硅层下方的绝缘层并使所述鳍部结构与所述绝缘层交界的部分暴露出来；对所述鳍部结构与所述绝缘层交界的部分进行刻蚀，以在所述鳍部结构形成悬空的沟道区域；在所述鳍部结构的沟道区域表面形成栅氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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