[发明专利]基于硅衬底的三维场效应管的制作方法

权利要求书

1.一种基于硅衬底的三维场效应管的制作方法，其特征在于，包括：

在硅衬底表面形成绝缘层，其中所述绝缘层覆盖鳍部结构；

对所述绝缘层进行减薄，以使所述鳍部结构的主体露出所述绝缘层；

在所述鳍部结构的主体表面形成氮化硅层，所述氮化硅层覆盖所述鳍部结构的主体表面并且覆盖所述绝缘层；

对所述氮化硅层进行刻蚀，以去除所述绝缘层表面的氮化硅；

对所述绝缘层进行刻蚀，以去除所述氮化硅层下方的绝缘层并使所述鳍部结构与所述绝缘层交界的部分暴露出来；

对所述鳍部结构与所述绝缘层交界的部分进行刻蚀，以在所述鳍部结构形成悬空的沟道区域；

在所述鳍部结构的沟道区域表面形成栅氧化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述栅氧化层表面形成栅极电极层，所述栅极电极层和所述栅氧化层环绕所述鳍部结构悬空的沟道区域，形成一个环栅结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述栅氧化层形成之前，去除所述鳍部结构表面覆盖的氮化硅层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

提供硅衬底，并在所述硅衬底刻蚀出垂直于所述硅衬底表面的鳍部结构，所述鳍部结构定义有所述三维场效应管的源区和漏区。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层的减薄采用各向同性的刻蚀方式，其中所述绝缘层经过减薄之后，所述鳍部结构的主体会露出所述绝缘层，而所述鳍部结构的底部嵌入在所述绝缘层之中。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化硅层的刻蚀采用各向异性的刻蚀方式。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层的刻蚀采用各向同性的刻蚀方式。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，经过所述各向同性刻蚀之后，覆盖在所述硅衬底表面的绝缘层的厚度剩余量大于0.01um。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述鳍部结构与所述绝缘层交界的部分通过各向同性的方式进行刻蚀；在所述鳍部结构与所述绝缘层交界的部分刻蚀完成之后形成一个开口，所述开口的上方的鳍部结构悬空并作为所述鳍部结构的沟道区域。