[发明专利]平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法

摘要

一种平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法包括以下步骤：提供具有N型衬底的N型外延，在N型外延上依序形成栅氧化层、多晶硅层及氮化硅层；使用光刻胶对氮化硅层及多晶硅层进行刻蚀从而去除部分氮化硅层及多晶硅层，剩余的另一部分多晶硅层作为栅极及互联用的多晶硅层，且剩余的多晶硅层顶部的氮化硅层被保留；去除光刻胶，在N型外延进行P型离子注入；对P型注入离子进行激活及推进形成P型体区；通过光刻工艺，定义出源区位置，并使用另一光刻胶对栅氧化层进行刻蚀去除部分栅氧化层，多晶硅层下方的栅氧化层被保留；在P型体区表面形成N型区域作为源区；去除另一光刻胶，并去除多晶硅层上方的部分氮化硅层。

主权项

1.一种平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：提供具有N型衬底的N型外延，在所述N型外延上依序形成栅氧化层、多晶硅层及氮化硅层；使用光刻胶对所述氮化硅层及多晶硅层进行刻蚀从而去除部分氮化硅层及多晶硅层，剩余的另一部分多晶硅层作为栅极及互联用的多晶硅层，且剩余的多晶硅层顶部的氮化硅层被保留；去除所述光刻胶，在所述N型外延进行P型离子注入；对所述P型注入离子进行激活及推进形成P型体区；通过光刻工艺，定义出源区位置，并使用另一光刻胶对所述栅氧化层进行刻蚀去除部分栅氧化层，所述多晶硅层下方的栅氧化层被保留；在所述P型体区表面形成N型区域作为源区；去除另一光刻胶，并去除所述多晶硅层上方的部分氮化硅层；在所述多晶硅层顶部及侧壁、所述多晶硅层下方的栅氧化层侧壁形成介质层；在所述P型体区、所述源区及所述介质层上形成正面金属；在所述N型衬底远离所述N型外延一侧形成背面金属。