[发明专利]一种平面八电极介电电泳旋转芯片及制作方法在审
| 申请号： | 201711348537.7 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108106920A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 陈平;徐法旺;陈璐;王永存;张华 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | G01N1/40 | 分类号： | G01N1/40;C12M1/42 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 胡永宏 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面八电极介电电泳旋转芯片，包括芯片，所述芯片的平面内封装八个电极，且八个电极分布在间隔相同的八个方位角，构成一个正八边形结构，中间围成一个电极腔；所述每个电极自下而上包括基层、过渡层以及电极层。所述每个电极由凹四边形和长方形构成轴对称图形，所述电极的基底材料为非金属硅；电极的过渡层材料为金属铬，厚度为50纳米；电极的电极层材料为导电金属金，厚度为150纳米。本发明对微粒的旋转和检测更加准确，精度更高，可操作性更强。通过对照平面四电极与八电极电旋转芯片场强分布图，实现了电场的旋转，产生的场强更大。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 芯片 场强 介电电泳 正八边形结构 电极层材料 电旋转芯片 过渡层材料 轴对称图形 凹四边形 导电金属 电极分布 基底材料 电场 电极层 电极腔 方位角 分布图 过渡层 金属铬 四电极 封装 检测 制作 基层 | ||
【主权项】：
1.一种平面八电极介电电泳旋转芯片，其特征在于：包括芯片，所述芯片的平面内封装八个电极，且八个电极分布在间隔相同的八个方位角，构成一个正八边形结构，中间围成一个电极腔；所述每个电极自下而上包括基层、过渡层以及电极层。
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