[发明专利]一种平面八电极介电电泳旋转芯片及制作方法

权利要求书

1.一种平面八电极介电电泳旋转芯片，其特征在于：包括芯片，所述芯片的平面内封装八个电极，且八个电极分布在间隔相同的八个方位角，构成一个正八边形结构，中间围成一个电极腔；所述每个电极自下而上包括基层、过渡层以及电极层。

2.根据权利要求1所述的一种平面八电极介电电泳旋转芯片，其特征在于：所述电极腔的两个相对电极的间距为60微米。

3.根据权利要求1所述的一种平面八电极介电电泳旋转芯片，其特征在于：所述每个电极由凹四边形和长方形构成轴对称图形，凹四边形的底长20微米，侧面的宽为20微米，底侧的厚度为4微米，凹四边形凹陷的内边长为16微米，侧边的厚度为3微米，长方形的长为50微米，宽为4微米。

4.根据权利要求1所述的一种平面八电极介电电泳旋转芯片，其特征在于：所述电极的基底材料为非金属硅，电极的过渡层材料为金属铬，厚度为50纳米,电极的电极层材料为导电金属金，厚度为150纳米。

5.根据权利要求1所述的一种平面八电极介电电泳旋转芯片，其特征在于：所述每个电极按顺时针方向依次施加的交流电压信号相位差为45度。

6.根据权利要求1所述的一种平面八电极介电电泳旋转芯片的制作方法，其特征在于：所述芯片加工流程包括晶片准备、电极制作、微流沟道制作与键合；所述电极制作首先在芯片的底部和芯片的顶部热蒸镀Cr/Au层，厚度分别为50纳米/150纳米，然后进行紫外光刻，紫外光刻包括匀胶、软烘、曝光、显影和硬烘，将两个掩模版上的电极图形转移到玻璃芯片上，显影后的光刻胶覆盖电极部分，作为湿法腐蚀的保护层，所用光刻胶为I1000；再用干法刻蚀去除电极以外没有光刻胶保护的金属层，留下玻璃芯片的电极部分；将掩模版微流沟道图形转移到玻璃芯片的底部，将光刻胶显影去除作为沟道；最后，将玻璃芯片的底部和玻璃芯片的顶部通过两层SU8热键合实现两片芯片的结合。