[发明专利]发光元件的制造方法及发光元件有效
| 申请号： | 201711347059.8 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108206226B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 北滨俊;井上芳树;永峰和浩;成田准也 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张劲松 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种发光元件的制造方法及发光元件，能减轻漏电流的产生。发光元件的制造方法具有：准备从下方朝向上方依次具有衬底、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层的半导体晶片的工序；通过对衬底照射激光，在衬底上形成加工改性部的工序；通过分割衬底上形成有加工改性部的半导体晶片，得到多个发光元件的工序，其中，在准备半导体晶片的工序和在衬底上形成加工改性部的工序之间依次具有：在p侧氮化物半导体层的上表面的包含成为多个发光元件的区域的边界的区域形成保护层的工序；通过对半导体晶片进行退火，在未形成保护层的区域使p侧氮化物半导体层低电阻化的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件的制造方法，具有：准备半导体晶片的工序，该半导体晶片从下方朝向上方依次具有衬底、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层；通过对所述衬底照射激光，在所述衬底上形成加工改性部的工序；通过分割在所述衬底上形成有加工改性部的所述半导体晶片，得到多个发光元件的工序，其特征在于，在所述准备半导体晶片的工序和在所述衬底上形成加工改性部的工序之间依次具有：在所述p侧氮化物半导体层的上表面的包含成为所述多个发光元件的区域的边界的区域形成保护层的工序；通过对所述半导体晶片进行退火，在未形成所述保护层的区域使所述p侧氮化物半导体层低电阻化的工序。
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