[发明专利]发光元件的制造方法及发光元件

说明书

一种发光元件的制造方法及发光元件，能减轻漏电流的产生。发光元件的制造方法具有：准备从下方朝向上方依次具有衬底、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层的半导体晶片的工序；通过对衬底照射激光，在衬底上形成加工改性部的工序；通过分割衬底上形成有加工改性部的半导体晶片，得到多个发光元件的工序，其中，在准备半导体晶片的工序和在衬底上形成加工改性部的工序之间依次具有：在p侧氮化物半导体层的上表面的包含成为多个发光元件的区域的边界的区域形成保护层的工序；通过对半导体晶片进行退火，在未形成保护层的区域使p侧氮化物半导体层低电阻化的工序。

技术领域

本发明涉及一种发光元件的制造方法及发光元件。

背景技术

发光元件例如能够通过分割具备衬底和从衬底的上表面侧依次具有n侧氮化物半导体层与p侧氮化物半导体层的半导体部的半导体晶片而得到。作为分割这些半导体晶片的方法，已知有通过将激光向衬底内照射，形成加工改性部之后再进行分割的方法。此时，具有如下的情况，即，通过蚀刻从上方去除半导体部中的与半导体晶片的分割预定线重合的区域，由此，使n侧氮化物半导体层露出，在去除的部分的表面形成保护层的情况。由此，能够抑制分割半导体晶片时产生的碎屑附着于通过蚀刻而露出的表面上，因此，能够抑制经由碎屑流过漏电流的情况。(例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005－166728号

专利文献1的发光元件中有能够进一步减轻漏电流(leak current)的产生的余地。

发明内容

一种发光元件的制造方法，具有：准备半导体晶片的工序，该半导体晶片从下方朝向上方依次具有衬底、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层；通过对所述衬底照射激光，在所述衬底上形成加工改性部的工序；通过分割在所述衬底上形成有加工改性部的所述半导体晶片，得到多个发光元件的工序，其中，在所述准备半导体晶片的工序和在所述衬底上形成加工改性部的工序之间依次具有：在所述p侧氮化物半导体层的上表面的包含成为所述多个发光元件的区域的边界的区域形成保护层的工序；通过对所述半导体晶片进行退火，在未形成所述保护层的区域使所述p侧氮化物半导体层低电阻化的工序。

一种发光元件，其中，具备半导体构造，所述半导体构造从下方朝向上方依次具有衬底、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层，所述半导体构造的所述p侧氮化物半导体层侧为光取出面侧，并且，所述半导体构造的所述n侧氮化物半导体层侧为安装面侧，在俯视时，与所述p侧氮化物半导体层的外周部的内侧相比，所述p侧氮化物半导体层的外周部为高电阻。

发明效果

根据这样的制造方法，能够制造减轻了漏电流的产生的发光元件。另外，能够提供减轻了漏电流的产生的发光元件。

附图说明

图1A是用于说明实施方式的发光元件的制造方法的示意平面图；

图1B是图1A中的A－A线的示意剖面图；

图2A是用于说明实施方式的发光元件的制造方法的示意平面图；

图2B是图2A中的A－A线的示意剖面图；

图3A是用于说明实施方式的发光元件的制造方法的示意平面图；

图3B是图3A中的A－A线的示意剖面图；

图4A是用于说明实施方式的发光元件的制造方法的示意平面图；

图4B是图4A中的A－A线的示意剖面图；

图5A是用于说明实施方式的发光元件的制造方法的示意平面图；