[发明专利]发光元件的制造方法及发光元件

权利要求书

1.一种发光元件的制造方法，具有：

准备半导体晶片的工序，该半导体晶片从下方朝向上方依次具有衬底、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层；

通过对所述衬底照射激光，在所述衬底上形成加工改性部的工序；

通过分割在所述衬底上形成有加工改性部的所述半导体晶片，得到多个发光元件的工序，其特征在于，

在所述准备半导体晶片的工序和在所述衬底上形成加工改性部的工序之间依次具有：

在所述p侧氮化物半导体层的上表面的包含成为所述多个发光元件的区域的边界的区域形成保护层的工序；

通过对所述半导体晶片进行退火，在未形成所述保护层的区域使所述p侧氮化物半导体层低电阻化的工序。

2.如权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于，

在形成所述加工改性部的工序中，在所述衬底的厚度一半更靠上的区域形成所述加工改性部。

3.如权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于，

在形成所述保护层的工序之后，具有在所述p侧氮化物半导体层的上表面的未形成所述保护层的区域形成电流扩散层的工序。

4.如权利要求2所述的发光元件的制造方法，其特征在于，

在形成所述保护层的工序之后，具有在所述p侧氮化物半导体层的上表面的未形成所述保护层的区域形成电流扩散层的工序。

5.如权利要求1～4中任一项所述的发光元件的制造方法，其特征在于，

在形成所述保护层的工序中，在所述p侧氮化物半导体层的上表面以格子状地形成所述保护层。

6.如权利要求1～4中任一项所述的发光元件的制造方法，其特征在于，

在形成所述加工改性部的工序中，通过对所述衬底以第一脉冲能量且第一间距照射激光，形成第一加工改性部，另一方面，通过以比第一脉冲能量小的第二脉冲能量且比所述第一间距宽的第二间距照射激光，在所述第一加工改性部的上方形成第二加工改性部。

7.如权利要求5所述的发光元件的制造方法，其特征在于，

在形成所述加工改性部的工序中，通过对所述衬底以第一脉冲能量且第一间距照射激光，形成第一加工改性部，另一方面，通过以比第一脉冲能量小的第二脉冲能量且比所述第一间距宽的第二间距照射激光，在所述第一加工改性部的上方形成第二加工改性部。

8.如权利要求6所述的发光元件的制造方法，其特征在于，

在形成所述加工改性部的工序中，在所述衬底的厚度一半更靠下的区域形成所述第一加工改性部，在所述衬底的厚度一半更靠上的区域形成所述第二加工改性部。

9.如权利要求7所述的发光元件的制造方法，其特征在于，

在形成所述加工改性部的工序中，在所述衬底的厚度一半更靠下的区域形成所述第一加工改性部，在所述衬底的厚度一半更靠上的区域形成所述第二加工改性部。

10.一种发光元件，其特征在于，

具备半导体构造，所述半导体构造从下方朝向上方依次具有衬底、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层，

所述半导体构造的所述p侧氮化物半导体层侧为光取出面侧，并且，所述半导体构造的所述n侧氮化物半导体层侧为安装面侧，

在俯视时，与所述p侧氮化物半导体层的外周部的内侧相比，所述p侧氮化物半导体层的外周部为高电阻，

在所述p侧氮化物半导体层的上表面的、与所述外周部对应的区域形成有第一保护层，

在所述p侧氮化物半导体层的上表面的、所述外周部的内侧的区域，电流扩散层离开所述第一保护层而设置。

11.如权利要求10所述的发光元件，其特征在于，

在所述半导体构造的上方且包含所述第一保护层的上表面的区域，形成有第二保护层。