[发明专利]一种GaN基异质结二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201711346622.X | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN107978642B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 梁亚楠;贾利芳;何志;樊中朝;颜伟;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基异质结二极管及其制备方法，该GaN基异质结二极管包括：依次生长在衬底上的GaN本征层和势垒层；在部分势垒层上形成部分凹槽区域，高空穴浓度结构层覆盖在凹槽上表面；阴极电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；阳极电极第一部分位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的另一部分区域，其位置紧挨着高空穴浓度结构层；阳极电极第二部分覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化保护层覆盖在势垒层上表面未被阴极电极和阳极电极覆盖的区域。本发明可靠性高，重复性好，可实现对器件开启电压的调节，获得低开启电压、低反向漏电流的GaN异质结二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 基异质结 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基异质结二极管，其特征在于，该GaN基异质结二极管包括：衬底；GaN本征层，形成于衬底之上；势垒层，形成于GaN本征层之上，且在势垒层和GaN本征层上形成台面图形，以与其他GaN二极管隔离；钝化保护层，形成于势垒层及台面图形之上；高空穴浓度结构层，形成于一凹槽区域中，该凹槽区域系对钝化保护层及势垒层图形化形成；阴极电极，形成于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层和钝化保护层所覆盖的部分区域；阳极电极第一部分，形成于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层和钝化保护层所覆盖的另一部分区域，且紧邻高空穴浓度结构层；阳极电极第二部分，覆盖于高空穴浓度结构层的上表面。
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