[发明专利]反符合超低本底HPGeγ谱仪有效
| 申请号： | 201711340633.7 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108287362B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 常军林 | 申请（专利权）人： | 卡迪诺科技(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/36 | 分类号： | G01T1/36 |
| 代理公司： | 11435 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 郭栋梁 |
| 地址： | 101500 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种反符合超低本底HPGeγ谱仪，包括样品室和杜瓦瓶，样品室设置有封闭空腔，杜瓦瓶的瓶口插接有冷指，冷指穿过封闭空腔底部延伸至封闭空腔内，冷指位于封闭空腔内部的一端固定连接有HPGe探测器，样品室从外到内依次设置有外铅层、塑闪层、镉片层、内铅层和铜层，外铅层、塑闪层、镉片层、内铅层和铜层均设置有封闭内腔，于消除建筑材料中的天然放射性核素和次级宇宙射线软成分对塑料闪烁探测器计数率和谱仪本底的影响，能够解决测试过程中本底干扰大、测量准确度低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 封闭空腔 铅层 样品室 冷指 谱仪 杜瓦瓶 探测器 片层 铜层 宇宙射线 天然放射性核素 准确度 测试过程 封闭内腔 塑料闪烁 依次设置 计数率 插接 瓶口 建筑材料 测量 穿过 延伸 申请 | ||
【主权项】：
1.一种反符合超低本底HPGeγ谱仪，其特征在于，包括样品室和杜瓦瓶，所述样品室设置有封闭空腔，所述杜瓦瓶的瓶口插接有冷指，所述冷指穿过所述封闭空腔底部延伸至所述封闭空腔内，所述冷指位于所述封闭空腔内的一端固定连接有HPGe探测器，所述样品室从外到内依次设置有外铅层、塑闪层、镉片层、内铅层和铜层，所述外铅层、塑闪层、镉片层、内铅层和铜层均设置有封闭内腔，所述封闭空腔底部设置有阶梯孔，所述冷指套接有阶梯轴，所述阶梯轴与所述阶梯孔套接配合使所述封闭空腔的内腔与外界隔绝，所述阶梯孔靠近所述封闭空腔的孔径小于所述阶梯孔远离所述封闭空腔的孔径，在竖直方向上，所述样品室设置在所述杜瓦瓶之上，包括升降装置，所述升降装置设置有托盘，所述杜瓦瓶固定在所述托盘上，所述托盘滑动连接有滑轨，所述托盘固定连接有螺母，所述螺母螺接有螺杆，所述螺杆与所述滑轨可转动地固定连接。/n
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