[发明专利]反符合超低本底HPGeγ谱仪

说明书

本申请公开了一种反符合超低本底HPGeγ谱仪，包括样品室和杜瓦瓶，样品室设置有封闭空腔，杜瓦瓶的瓶口插接有冷指，冷指穿过封闭空腔底部延伸至封闭空腔内，冷指位于封闭空腔内部的一端固定连接有HPGe探测器，样品室从外到内依次设置有外铅层、塑闪层、镉片层、内铅层和铜层，外铅层、塑闪层、镉片层、内铅层和铜层均设置有封闭内腔，于消除建筑材料中的天然放射性核素和次级宇宙射线软成分对塑料闪烁探测器计数率和谱仪本底的影响，能够解决测试过程中本底干扰大、测量准确度低的问题。

技术领域

本公开一般涉及环境监测领域，具体涉及核辐射监测领域，尤其涉及一种反符合超低本底HPGeγ谱仪。

背景技术

低本底γ谱仪在辐射防护、环境监测、大气现象、食品卫生等方面都有重要的应用。随着人们对环境保护工作的日益重视，对放射性分析水平的下限也提出了更高的要求，特别是在样品放射性极其微弱的情况下，要求最大限度地降低本底。

以HPGe为主探测器的γ谱仪本底成分的主要来源包括：(1)土壤及建筑材料中的天然放射性，主要是238U、232Th衰变的子体以及40K，也有重核自发裂变和(α，n)反应产生的中子；(2)屏蔽材料和探测原件中的放射性同位素和引入的放射性杂质或污染；(3)宇宙射线诱发的本底，包括μ子本身以及μ子在屏蔽材料上产生的中子、高能电子等产生的本底。如何降低本底减少测试过程中环境的干扰成为了行业问题。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种降低本底、提高测量准确性的反符合超低本底HPGeγ谱仪。

第一方面，本发明的反符合超低本底HPGeγ谱仪，包括样品室和杜瓦瓶，样品室设置有封闭空腔，杜瓦瓶的瓶口插接有冷指，冷指穿过封闭空腔底部延伸至封闭空腔内，冷指位于封闭空腔内部的一端固定连接有HPGe探测器，样品室从外到内依次设置有外铅层、塑闪层、镉片层、内铅层和铜层，外铅层、塑闪层、镉片层、内铅层和铜层均设置有封闭内腔。

根据本申请实施例提供的技术方案，通过外铅层初步降低环境γ和宇宙射线软成分；塑闪层起反符合屏蔽，降低宇宙射线硬成分和中子本底；镉片层吸收热中子，降低热中子本底；内铅层进一步屏蔽环境中的γ与热中子在镉上产生的γ；铜层阻挡X射线和铅本身射线，外铅层和内铅层构成了物质屏蔽，用于消除建筑材料中的天然放射性核素和次级宇宙射线软成分对塑料闪烁探测器计数率和谱仪本底的影响，能够解决测试过程中本底干扰大、测量准确度低的问题。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本发明的实施例的反符合超低本底HPGeγ谱仪的结构示意图；

图2为本发明的实施例的反符合超低本底HPGeγ谱仪的杜瓦瓶和升降装置的结构示意图；

图3为本发明的实施例的反符合超低本底HPGeγ谱仪的冷指的结构示意图；

图4为本发明的实施例的反符合超低本底HPGeγ谱仪的弹性固定圈的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。