[发明专利]反符合超低本底HPGeγ谱仪

权利要求书

1.一种反符合超低本底HPGeγ谱仪，其特征在于，包括样品室和杜瓦瓶，所述样品室设置有封闭空腔，所述杜瓦瓶的瓶口插接有冷指，所述冷指穿过所述封闭空腔底部延伸至所述封闭空腔内，所述冷指位于所述封闭空腔内的一端固定连接有HPGe探测器，所述样品室从外到内依次设置有外铅层、塑闪层、镉片层、内铅层和铜层，所述外铅层、塑闪层、镉片层、内铅层和铜层均设置有封闭内腔，所述封闭空腔底部设置有阶梯孔，所述冷指套接有阶梯轴，所述阶梯轴与所述阶梯孔套接配合使所述封闭空腔的内腔与外界隔绝，所述阶梯孔靠近所述封闭空腔的孔径小于所述阶梯孔远离所述封闭空腔的孔径，在竖直方向上，所述样品室设置在所述杜瓦瓶之上，包括升降装置，所述升降装置设置有托盘，所述杜瓦瓶固定在所述托盘上，所述托盘滑动连接有滑轨，所述托盘固定连接有螺母，所述螺母螺接有螺杆，所述螺杆与所述滑轨可转动地固定连接。

2.根据权利要求1所述的反符合超低本底HPGeγ谱仪，其特征在于，所述阶梯轴设置有铜轴和铅轴，所述铅轴设置在所述杜瓦瓶与所述铜轴之间，所述铜轴设置在所述铅轴与所述HPGe探测器之间，所述铅轴的直径大于所述铜轴的直径，所述铅轴与所述阶梯孔套接配合。

3.根据权利要求2所述的反符合超低本底HPGeγ谱仪，其特征在于，所述铅轴外侧包覆有钢套，所述钢套与所述阶梯孔套接配合。

4.根据权利要求1所述的反符合超低本底HPGeγ谱仪，其特征在于，所述托盘固定连接有连接板，所述连接板背向所述托盘的一侧固定连接有滑块，所述滑块与所述滑轨滑动连接。

5.根据权利要求1所述的反符合超低本底HPGeγ谱仪，其特征在于，所述杜瓦瓶的排气口通过软管与所述封闭空腔连通。

6.根据权利要求1所述的反符合超低本底HPGeγ谱仪，其特征在于，所述HPGe探测器与所述冷指套接，所述冷指套接有弹性固定圈，所述弹性固定圈紧贴所述HPGe探测器面向所述杜瓦瓶的一侧，所述弹性固定圈设置有缺口，所述弹性固定圈相对设置有两个固定孔，所述两个固定孔分别设置在所述缺口的两侧，螺钉穿过一个固定孔与另一个固定孔螺接。

7.根据权利要求1所述的反符合超低本底HPGeγ谱仪，其特征在于，所述杜瓦瓶的瓶口固定有金属套圈，所述金属套圈与所述杜瓦瓶之间固定有橡胶塞。