[发明专利]一种红外传感器以及红外信号强度的检测方法有效
申请号: | 201711337657.7 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN108198876B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 康晓旭 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/101;G01J5/00 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明揭示一种红外传感器以及红外信号强度的检测方法。所述红外传感器包括:金属层;铁电材料层,设置于所述金属层的一侧;石墨烯材料层,设置于所述铁电材料层的远离所述金属层的一侧;电极层,设置于所述石墨烯材料层的远离所述铁电材料层的一侧;红外吸收层,设置于所述电极层远离所述石墨烯材料层的一侧;热传导层,设置于所述铁电材料层、石墨烯材料层以及电极层的外侧,且分别连接所述红外吸收层和所述金属层。该红外传感器可以有效地提高红外信号强度检测的灵敏度以及准确度。 | ||
搜索关键词: | 红外传感器 石墨烯材料 铁电材料层 金属层 红外信号 电极层 红外吸收层 强度检测 热传导层 准确度 灵敏度 有效地 检测 | ||
【主权项】:
1.一种红外传感器,其特征在于,所述红外传感器包括:金属层;铁电材料层,设置于所述金属层的一侧;石墨烯材料层,设置于所述铁电材料层的远离所述金属层的一侧;电极层,设置于所述石墨烯材料层的远离所述铁电材料层的一侧;红外吸收层,设置于所述电极层远离所述石墨烯材料层的一侧;且所述红外吸收层与所述电极层之间相互间隔不接触;热传导层,设置于所述铁电材料层、石墨烯材料层以及电极层的外侧,且分别连接所述红外吸收层和所述金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的