[发明专利]层叠式半导体器件有效
| 申请号： | 201711337226.0 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108511008B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 金支焕;李东郁 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种层叠式半导体器件可以包括：基底裸片；以及多个核心裸片，其层叠在基底裸片之上，并且适用于通过多个穿通电极与分配的通道通信。每个核心裸片可以包括：穿通电极扫描单元，其根据分配的通道信息而被使能，并且适用于执行使信号向下传输穿过穿通电极之中在列方向上连接的穿通电极的向下扫描以及执行使信号向上传输穿过在列方向上连接的穿通电极的向上扫描；以及缺陷检测单元，其适用于基于向下扫描和向上扫描来检测穿通电极是否具有缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种层叠式半导体器件，包括：基底裸片；以及多个核心裸片，其层叠在基底裸片之上，并且适用于通过多个穿通电极与分配的通道通信，其中，每个核心裸片包括：穿通电极扫描单元，其根据分配的通道信息而被使能，并且适用于对穿通电极之中在列方向上连接的穿通电极执行传输向下信号的向下扫描和传输向上信号的向上扫描；以及缺陷检测单元，其适用于基于向下扫描和向上扫描来检测穿通电极是否具有缺陷。
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