[发明专利]一种改善关断电容的射频开关电路在审
申请号: | 201711331995.X | 申请日: | 2017-12-13 |
公开(公告)号: | CN107947775A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 戴若凡 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H03K17/16 | 分类号: | H03K17/16;H03K17/56 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种改善关断电容的射频开关电路,包括栅极电压控制模块、开关模块以及体极电压控制模块,所述开关模块包括多个级联的开关单元,各开关单元间均引入小电容至地通路,本发明通过在电路层次进行小电容并联至地或引入对地可控寄生小电容后段设计的电路设计方式,可以优化减小关断电容Coff并保持导通电阻Ron基本不变。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 断电 射频 开关电路 | ||
【主权项】:
一种改善关断电容的射频开关电路,包括栅极电压控制模块、开关模块以及体极电压控制模块,其特征在于:所述开关模块包括多个级联的开关单元,各开关单元间均引入小电容至地通路。
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