[发明专利]一种改善关断电容的射频开关电路在审
| 申请号： | 201711331995.X | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN107947775A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 戴若凡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/16 | 分类号： | H03K17/16;H03K17/56 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 断电 射频 开关电路 | ||
1.一种改善关断电容的射频开关电路，包括栅极电压控制模块、开关模块以及体极电压控制模块，其特征在于：所述开关模块包括多个级联的开关单元，各开关单元间均引入小电容至地通路。
2.如权利要求1所述的一种改善关断电容的射频开关电路，其特征在于：所述各开关单元的NMOS开关管的源极/漏极/栅极/衬底的至地电容为可选设计。
3.如权利要求2所述的一种改善关断电容的射频开关电路，其特征在于：所述开关模块的每个开关单元的源漏极引入小电容并联至地通路。
4.如权利要求3所述的一种改善关断电容的射频开关电路，其特征在于：每个开关单元包括NMOS开关管Mk、体极偏置电阻Rbk、栅极偏置电阻Rgk、通路电阻Rdsk、漏极并联电容Cdpk、源极并联电容Cspk，漏极并联电容Cdpk的一端连接至NMOS管Mk的漏极，另一端接地，源极并联电容Cspk的一端连接至NMOS管Mk的源极，另一端接地，通路电阻Rdsk连接在NMOS管Mk的漏极和源极间，体极偏置电阻Rbk的一端连接至NMOS管Mk的衬端，体极偏置电阻Rbk的另一端连接至所述体极电压控制模块，栅极偏置电阻Rgk的一端连接至NMOS开关管Mk的栅极，栅极偏置电阻Rgk的另一端连接至所述栅极电压控制模块。
5.如权利要求3所述的一种改善关断电容的射频开关电路，其特征在于：所述开关模块的每个开关单元的栅极与衬底引入小电容并联至地通路。
6.如权利要求5所述的一种改善关断电容的射频开关电路，其特征在于：每个开关单元包括NMOS开关管Mk、体极偏置电阻Rbk、栅极偏置电阻Rgk、通路电阻Rdsk、漏极并联电容Cdpk、源极并联电容Cspk、栅极并联电容Cgpk、以及体极并联电容Cbpk，漏极并联电容Cdpk的一端连接至NMOS管Mk的漏极，源极并联电容Cspk的一端连接至NMOS管Mk的源极，栅极并联电容Cgpk的一端连接至NMOS开关管Mk的栅极，体极并联电容Cbpk的一端连接至NMOS开关管Mk的衬底，漏极并联电容Cdpk的另一端、源极并联电容Cspk的另一端、栅极并联电容Cgpk的另一端、体极并联电容Cbpk的另一端接地，通路电阻Rdsk连接在NMOS管Mk的漏极和源极间，体极偏置电阻Rbk的一端连接至NMOS管Mk的衬端，体极偏置电阻Rbk的另一端连接至所述体极电压控制模块，栅极偏置电阻Rgk的一端连接至NMOS开关管Mk的栅极，栅极偏置电阻Rgk的另一端连接至所述栅极电压控制模块。
7.如权利要求4或6所述的一种改善关断电容的射频开关电路，其特征在于：引入的小电容大小为1～10fF。
8.如权利要求7所述的一种改善关断电容的射频开关电路，其特征在于：所述小电容为电路设计层次的MIM电容或MOS电容或MOM电容实体元件。
9.如权利要求7所述的一种改善关断电容的射频开关电路，其特征在于：所述小电容为通过后段layout设计引入的可控的寄生电容单元。
10.如权利要求1所述的一种改善关断电容的射频开关电路，其特征在于：所述栅极电压控制模块及所述体极电压控制模块均包括一公共偏置电阻。
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