[发明专利]超结器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201711328189.7 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN107910374A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙)44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超结器件及其制造方法。所述超结器件包括N型衬底、第一层、第二层、第三层N型外延、贯穿第三及第二N型外延并延伸至第一层N型外延中的第一沟槽与第二沟槽、形成于第一、第二沟槽内壁的P型注入区域、形成于第一、第二沟槽中的P型注入区域上的介质材料、形成于第一沟槽的介质材料中的第三沟槽、形成于第二沟槽的介质材料中的第四沟槽、形成于第一及第二沟槽两侧的第三层N型外延表面的P型体区、形成于P型体区表面的N型注入区、形成于第三、第四沟槽底部及侧壁、第三层N型外延表面、P型注入区上方的热氧化层、形成于热氧化层表面的多晶硅、形成于第三层N型外延、P型体区上的介质层、贯穿介质层并对应P型体区的通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超结器件，其特征在于：所述超结器件包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的第一层N型外延、形成于所述第一层N型外延上的第二层N型外延、形成于所述第二层N型外延上的第三层N型外延、贯穿所述第三及第二N型外延并延伸至所述第一层N型外延中的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽及第二沟槽内壁的P型注入区域、形成于所述第一、第二沟槽中的P型注入区域上的N型外延层、形成于所述第一沟槽的N型外延层表面与P型注入区域表面的第三沟槽、形成于所述第二沟槽的N型外延层表面与P型注入区域表面的第四沟槽、形成于所述第一及第二沟槽两侧的第三层N型外延表面的N型注入区、形成于所述第三、第四沟槽底部及侧壁、所述P型注入区上方、所述第三层N型外延表面的热氧化层、形成于所述热氧化层表面的多晶硅、形成于所述第三层N型外延、所述P型体区上的介质层、及贯穿所述介质层并至少部分对应所述N型注入区的通孔。
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