[发明专利]垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201711327468.1 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108110056B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 上海芯龙半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京艾皮专利代理有限公司 11777 | 代理人： | 冯铁惠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种垂直双扩散场效应晶体管包括N型衬底、形成于型衬底上的N型外延、形成于N型外延表面的第一、第二P型注入区、形成于N型外延及第一、第二P型注入区上的P型外延、形成于P型外延层表面且位置分别与第一P、第二P型注入区对应的第一N型注入区与第二N型注入区、形成于P型外延层、第一、第二N型注入区上的氧化硅层、贯穿氧化硅层与第一N型注入区并分别延伸至第一、第二P型注入区中的第一沟槽与第二沟槽、形成于第一及第二沟槽内壁且与氧化硅层连接的氧化硅、贯穿第一与第二沟槽之间的氧化硅层且对应P型外延及第一及第二N型注入区的开口、及形成于第一及第二沟槽中的氧化硅层表面的多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 扩散 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种N型沟道垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管包括N型衬底、形成于所述型衬底上的N型外延、形成于所述N型外延表面的第一P型注入区与第二P型注入区、形成于所述N型外延及所述第一、第二P型注入区上的P型外延、形成于所述P型外延层表面且位置分别与所述第一P型注入区与所述第二P型注入区对应的第一N型注入区与第二N型注入区、形成于所述P型外延层、所述第一、第二N型注入区上的氧化硅层、贯穿所述氧化硅层与所述第一N型注入区并延伸至所述第一P型注入区中的第一沟槽、贯穿所述氧化硅层与所述第二N型注入区并延伸至所述第二P型注入区中的第二沟槽、形成于所述第一及第二沟槽内壁且与所述氧化硅层连接的氧化硅、贯穿所述第一与第二沟槽之间的氧化硅层且对应所述P型外延及部分第一及第二N型注入区的开口、及形成于所述第一及第二沟槽中的氧化硅层表面的多晶硅。
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