[发明专利]垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种N型沟道垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管包括N型衬底、形成于所述型衬底上的N型外延、形成于所述N型外延表面的第一P型注入区与第二P型注入区、形成于所述N型外延及所述第一、第二P型注入区上的P型外延、形成于所述P型外延层表面且位置分别与所述第一P型注入区与所述第二P型注入区对应的第一N型注入区与第二N型注入区、形成于所述P型外延层、所述第一、第二N型注入区上的氧化硅层、贯穿所述氧化硅层与所述第一N型注入区并延伸至所述第一P型注入区中的第一沟槽、贯穿所述氧化硅层与所述第二N型注入区并延伸至所述第二P型注入区中的第二沟槽、形成于所述第一及第二沟槽内壁且与所述氧化硅层连接的氧化硅、贯穿所述第一与第二沟槽之间的氧化硅层且对应所述P型外延及部分第一及第二N型注入区的开口、及形成于所述第一及第二沟槽中的氧化硅层表面的多晶硅；所述晶体管还包括第一金属层，所述第一金属层包括第一部分，所述第一部分位于所述第一沟槽远离所述第二沟槽一侧的氧化硅层上且连接所述第一沟槽中的多晶硅；所述第一金属层还包括第二部分，所述第二部分位于所述第二沟槽远离所述第一沟槽一侧的氧化硅层上且连接所述第一沟槽中的多晶硅；所述第一金属层还包括第三部分，所述第三部分位于所述开口中。

2.如权利要求1所述的N型沟道垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管还包括第二金属层，所述第二金属层形成于所述N型衬底远离所述N型外延的表面。

3.如权利要求1所述的N型沟道垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述第一及第二P型注入区均为P型高掺杂区域。

4.如权利要求1所述的N型沟道垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述第一及第二N型注入区均为N型高掺杂区域。

5.一种N型沟道垂直双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括如下步骤：

提供具有N型外延的N型衬底，在所述N型外延上形成具有两个第一注入窗口的第一光刻胶；

利用所述两个第一注入窗口进行P型离子注入从而在所述N型外延表面形成第一P型注入区与第二P型注入区；

去除所述第一光刻胶，在所述N型外延与第一、第二P型注入区上依序形成P型外延、氧化硅层及第二光刻胶，采用所述第二光刻胶作为掩膜刻蚀所述氧化硅层从而形成贯穿所述氧化硅层且位置分别与所述第一、第二P型注入区的两个第二注入窗口；

去除所述第二光刻胶，使用所述两个第二注入窗口对所述P型外延进行N型离子注入；

进行热退火及对N型离子进行激活及推进从而在所述P型外延表面形成位置对应所述第一P型注入区的第一N型注入区以及位置对应所述第二P型注入区的第二N型注入区；

形成贯穿所述第一N型注入区与所述P型外延并延伸至所述第一P型注入区中的第一沟槽与贯穿所述第二N型注入区与所述P型外延并延伸至所述第二P型注入区中的第二沟槽；

在所述第一沟槽内壁及第二沟槽内壁形成氧化硅；

在所述第一及第二沟槽中的氧化硅上及所述氧化硅层上形成多晶硅；

去除所述氧化硅层上的多晶硅；

形成贯穿所述第一沟槽与第二沟槽之间的氧化硅层的开口。

6.如权利要求5所述的N型沟道垂直双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括如下步骤：形成第一金属层，所述第一金属层包括第一部分、第二部分及第三部分，所述第一部分位于所述第一沟槽远离所述第二沟槽一侧的氧化硅层上且连接所述第一沟槽中的多晶硅，所述第二部分位于所述第二沟槽远离所述第一沟槽一侧的氧化硅层上且连接所述第一沟槽中的多晶硅，所述第三部分位于所述开口中。

7.如权利要求5所述的N型沟道垂直双扩散场效应 晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括以下步骤：形成第二金属层，所述第二金属层形成于所述N型衬底远离所述N型外延的表面。