[发明专利]一种深Si通孔结构在审
| 申请号： | 201711319901.7 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN107934907A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰,张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深Si通孔结构，包括带有通孔的Si衬底、位于所述通孔中的第一金属粘附层、位于所述第一金属粘附层中间的金属Ag、以及将金属Ag封闭于所述通孔内部的位于Si衬底上下表面的第一厚金属。本发明采用金属Ag替代传统金属Cu填充工艺，并在表面通过电镀厚金属，使其与含O2环境隔离，从而实现金属化良好的深Si通孔。其中，金属Ag优选为采用纳米银浆固化技术实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 结构 | ||
【主权项】：
一种深Si通孔结构，其特征在于：包括带有通孔的Si衬底、位于所述通孔中的第一金属粘附层、位于所述第一金属粘附层中间的金属Ag、以及将金属Ag封闭于所述通孔内部的位于Si衬底上下表面的第一厚金属。
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