[发明专利]一种深Si通孔结构在审
| 申请号： | 201711319901.7 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN107934907A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰,张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 si 结构 | ||
1.一种深Si通孔结构，其特征在于：包括带有通孔的Si衬底、位于所述通孔中的第一金属粘附层、位于所述第一金属粘附层中间的金属Ag、以及将金属Ag封闭于所述通孔内部的位于Si衬底上下表面的第一厚金属。
2.根据权利要求1所述的一种深Si通孔结构，其特征在于：所述的Si衬底包括高阻Si衬底、低阻Si衬底、SOI衬底、SiGe衬底。
3.根据权利要求1所述的一种深Si通孔结构，其特征在于：所述的通孔深度为100～1000um，通孔的宽度大于等于5um。
4.根据权利要求1或3所述的一种深Si通孔结构，其特征在于：所述的第一金属粘附层在所述通孔中分布不均匀，沿通孔中部方向厚度逐渐降低。
5.根据权利要求4所述的一种深Si通孔结构，其特征在于：所述的第一金属粘附层由厚变薄的厚度为1um～0.1um，第一金属粘附层上下两端至少覆盖所述通孔的深度50um。
6.根据权利要求1所述的一种深Si通孔结构，其特征在于：所述的第一金属粘附层还包括延伸至所述通孔以外的位于Si衬底上下表面的部分；同时所述的深Si通孔结构还包括位于Si衬底上下表面的第二金属粘附层、以及位于上下第二金属粘附层表面的第二厚金属。
7.根据权利要求1所述的一种深Si通孔结构，其特征在于：所述的金属Ag为纳米银浆烧结固化后形成。
8.根据权利要求1所述的一种深Si通孔结构，其特征在于：所述的金属Ag与所述的Si衬底的高度差小于等于50um。
9.根据权利要求5所述的一种深Si通孔结构，其特征在于：所述的第一厚金属的厚度大于等于1um，延伸出通孔至少2um。
10.根据权利要求1或6所述的一种深Si通孔结构，其特征在于：所述的厚金属为图形化厚金属或者表面全覆盖厚金属。
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