[发明专利]一种湿法黑硅扩散后返工片返工的方法在审
| 申请号： | 201711308059.7 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108091725A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 何长春;仇杰;葛竖坚;何梅 | 申请（专利权）人： | 东方日升新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州橙知果专利代理事务所(特殊普通合伙) 33261 | 代理人： | 骆文军 |
| 地址： | 315600 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明要解决的技术问题是，提供一种返工工艺流程简单、易操作、经过的工序较少、损耗低及返工后成品不良较少的湿法黑硅扩散后返工片返工的方法；1)返工刻蚀：将湿法黑硅扩散后返工片采用刻蚀法去除原扩散面的脏污、发蓝、黑点等外观不良及扩散面氧化层和P‑N结；所述刻蚀用的混合液为氢氟酸、硝酸和水组成的混合液，且混合液中的体积比为氢氟酸：硝酸：水＝3～5:16～20:3，所述氢氟酸的浓度为45％～50％，所述硝酸的浓度为50％～55％，并将湿法黑硅扩散后返工片减重控制在0.1～0.15g；2)扩散：返回到原先的扩散工序进行扩散处理；3)从正常产线流程的刻蚀工序开始进入到正常产线流程中处理即可。 | ||
| 搜索关键词： | 返工 扩散 黑硅 湿法 混合液 氢氟酸 硝酸 刻蚀 产线 刻蚀工序 扩散处理 工艺流程 扩散面 体积比 氧化层 发蓝 黑点 减重 去除 脏污 返回 | ||
【主权项】：
1.一种湿法黑硅扩散后返工片返工的方法，其特征在于：它包括以下步骤：1)返工刻蚀：将湿法黑硅扩散后返工片采用刻蚀法去除原扩散面的脏污、发蓝、黑点等外观不良及扩散面氧化层和P-N结；所述刻蚀用的混合液为氢氟酸、硝酸和水组成的混合液，且混合液中的体积比为氢氟酸：硝酸：水＝3～5:16～20:3，所述氢氟酸的浓度为45％～50％，所述硝酸的浓度为50％～55％，并将湿法黑硅扩散后返工片减重控制在0.1～0.15g；2)扩散：返回到原先的扩散工序进行扩散处理；3)从正常产线流程的刻蚀工序开始进入到正常产线流程中处理即可。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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