[发明专利]一种湿法黑硅扩散后返工片返工的方法

说明书

本发明要解决的技术问题是，提供一种返工工艺流程简单、易操作、经过的工序较少、损耗低及返工后成品不良较少的湿法黑硅扩散后返工片返工的方法；1)返工刻蚀：将湿法黑硅扩散后返工片采用刻蚀法去除原扩散面的脏污、发蓝、黑点等外观不良及扩散面氧化层和P‑N结；所述刻蚀用的混合液为氢氟酸、硝酸和水组成的混合液，且混合液中的体积比为氢氟酸：硝酸：水＝3～5:16～20:3，所述氢氟酸的浓度为45％～50％，所述硝酸的浓度为50％～55％，并将湿法黑硅扩散后返工片减重控制在0.1～0.15g；2)扩散：返回到原先的扩散工序进行扩散处理；3)从正常产线流程的刻蚀工序开始进入到正常产线流程中处理即可。

技术领域

本发明涉及晶硅电池太阳能电池生产技术领域，更确切地说涉及一种湿法黑硅扩散后返工片返工的方法。

背景技术

随着光伏行业的发展和技术的不断创新，湿法黑硅技术已经实现量产化，但在湿法黑硅技术日益成熟和量产化过程中，如图1所示，湿法黑硅扩散后返工流程主要是：如公告号为CN106057967A，名称为一种RIE黑硅电池返工方法公开的先通过先利用氢氟酸浸泡清洗返工片表面的氧化层后，再利用HNO3、HF和去离子水的混合溶液去除表面硅后，随后返回到湿法制绒工序进行再次制绒，再返回扩散、刻蚀、镀膜、丝网的返工方法进行返工的，但是该返工工艺方法流程繁琐且所经过的工序也比较多导致返工损耗很高，且此类返工湿法制绒药液需要从新按返工配比工艺从新配液，较大程度上影响了湿法制绒工序的产能，在湿法制绒返工片清洗是在原有绒面的基础上再次进行湿法制绒，这样在绒面反射率的控制上和绒面外观上很难控制导致返工片返工处理后不良比例较高，同时在扩散后的刻蚀也需特定的刻蚀工艺“对所述RIE黑硅片的表面进行反应离子刻蚀的反应条件为：利用氯气、氧气和六氟化硫混合气体在高频电源的激发下生成的等离子体气体对所述N型硅片衬底的上下表面进行反应离子刻蚀；所述氯气的流量范围为200-1000sccm，氧气的流量为500-2000sccm，六氟化硫的流量范围为200-1000sccm，压力范围为10-15pa，高频电源的功率范围为15-30kw，刻蚀时间范围为10-500s。”，否则不良比例将更高，但这个刻蚀工艺操作较繁琐、能耗较高。故现有技术整个返工工艺存在工艺较复杂，工序较多，操作较繁琐及损耗较高的问题。

本发明有效地解决了以上技术难题，返工工艺流程简单、易操作，经过的工序较少，损耗低，返工后成品不良较少，且可当班处理。

发明内容

本发明要解决的技术问题是，提供一种返工工艺流程简单、易操作、经过的工序较少、损耗低及返工后成品不良较少的湿法黑硅扩散后返工片返工的方法。

本发明的技术解决方案是，提供一种具有以下结构的湿法黑硅扩散后返工片返工的方法，它包括以下步骤：

1)返工刻蚀：将湿法黑硅扩散后返工片采用刻蚀法去除原扩散面的脏污、发蓝、黑点等外观不良及扩散面氧化层和P-N结；所述刻蚀用的混合液为氢氟酸、硝酸和水组成的混合液，且混合液中的体积比为氢氟酸：硝酸：水＝3～5:16～20:3，所述氢氟酸的浓度为45％～50％，所述硝酸的浓度为50％～55％，并将湿法黑硅扩散后返工片减重控制在0.1～0.15g；

2)扩散：返回到原先的扩散工序进行扩散处理；

3)从正常产线流程的刻蚀工序开始进入到正常产线流程中处理即可。

作为优选，所述混合液中的体积比为氢氟酸：硝酸：水＝3～4:18～20:3。

作为更优选，所述混合液中的体积比为氢氟酸：硝酸：水＝3.5:19:3。

作为优选，所述氢氟酸的浓度为48％。

作为优选，所述硝酸的浓度为52％。