[发明专利]增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法有效
| 申请号： | 201711303287.5 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN107993934B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;何启鸣;董航;刘琦;吕杭炳;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，包括：对氧化镓半导体进行等离子体刻蚀表面处理，通过控制刻蚀工艺来调控氧化镓半导体表面的粗糙度、氧空位，使得表面粗糙度在1μm之内、氧空位增加；以及在经过等离子体刻蚀表面处理后的氧化镓半导体上生长对应功函数的金属层，形成欧姆接触的半导体器件。该方法有助于实现氧化镓材料的推广使用，另外，利用等离子体刻蚀方法提升欧姆接触不局限于氧化镓材料，还可以拓展应用至其他半导体器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 氧化 半导体器件 欧姆 接触 方法 | ||
【主权项】：
一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，包括：对氧化镓半导体进行等离子体刻蚀表面处理，通过控制刻蚀工艺来调控氧化镓半导体表面的粗糙度、氧空位，使得表面粗糙度在1μm之内、氧空位增加；以及在经过等离子体刻蚀表面处理后的氧化镓半导体上生长对应功函数的金属层，形成欧姆接触的半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
