[发明专利]增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法有效
| 申请号： | 201711303287.5 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN107993934B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;何启鸣;董航;刘琦;吕杭炳;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增强 氧化 半导体器件 欧姆 接触 方法 | ||
1.一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，包括：
对氧化镓半导体进行等离子体刻蚀表面处理，通过控制刻蚀工艺来调控氧化镓半导体表面的粗糙度、氧空位，使得表面粗糙度在1μm之内、氧空位增加；以及
在经过等离子体刻蚀表面处理后的氧化镓半导体上生长对应功函数的金属层，形成欧姆接触的半导体器件；
其中，所述等离子体刻蚀的工艺为感应耦合等离子体刻蚀；所述感应耦合等离子体刻蚀采用氧等离子体；采用所述氧等离子体刻蚀的刻蚀条件满足：腔内温度介于300℃～1000℃之间，功率不超过50W，表面粗糙度控制在1μm以内。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对应功函数的金属层满足：
对于n型半导体，金属的功函数小于半导体的功函数；
对于p型半导体，金属的功函数大于半导体的功函数。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述金属层的材料至少为如下材料中的一种：Ti、In、Cu、Ag、Pt、Ni、Au、Al。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在经过等离子体刻蚀表面处理后的氧化镓半导体上生长对应功函数的金属层之后还包括如下步骤：
进行温度范围为400℃～1300℃的快速热退火处理。
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其中，所述半导体器件包括：分立器件或光电器件。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述分立器件包括：晶体管。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述晶体管包括二极管或晶闸管至少之一。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述光电器件包括：LED，激光半导体器件，受光器件，光耦，光通讯器件至少之一。
9.根据权利要求5所述的方法，其中，所述氧化镓半导体的材料至少为如下材料中的一种：
单晶氧化镓，包括各个晶向的氧化镓；
多晶氧化镓；
非晶氧化镓；以及
经过掺杂的氧化镓，包括：n型或p型氧化镓。
10.根据权利要求6-8中任一项所述的方法，其中，所述氧化镓半导体的材料至少为如下材料中的一种：
单晶氧化镓，包括各个晶向的氧化镓；
多晶氧化镓；
非晶氧化镓；以及
经过掺杂的氧化镓，包括：n型或p型氧化镓。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
