[发明专利]一种横向功率MOS高压器件在审
| 申请号： | 201711302604.1 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109904230A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 胡盛东;黄野;杨冬;袁琦;郭经纬;林智 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 崔自京 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向功率MOS高压器件，包括多层衬底P型硅层、N型有源层和P型区，N型有源层设置于多层衬底P型硅层的上方，多层衬底P型硅层包括n层P型硅层，P型硅层的层数n为大于或等于2的整数，第n层P型硅层与第(n‑1)层P型硅层之间设有设有不连续的N+区，N+区与P型硅层衬底形成NP结，N型有源层与第n层P型硅层部分通过P型区接触。在常规的基于RESURF器件的基础上，通过在多层衬底P型硅层界面埋设不连续的N+区，使得衬底电势钉扎，在衬底中引入新的电场峰值，降低漏端下方主结电场，达到辅助衬底耗尽的目的；还使得N+区与P型硅层衬底形成的NP结的纵向电场值降低，从而在保证器件不击穿的条件下达到优化器件横向电场的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 多层 高压器件 横向功率 电场 不连续 衬底电势 横向电场 优化器件 纵向电场 常规的 钉扎 耗尽 击穿 漏端 埋设 主结 引入 保证 | ||
【主权项】：
1.一种横向功率MOS高压器件，其特征在于，包括多层衬底P型硅层、N型有源层和P型区，所述N型有源层设置于多层衬底P型硅层的上方，所述多层衬底P型硅层包括n层P型硅层，所述P型硅层的层数n为大于或等于2的整数，第n层P型硅层与第(n‑1)层P型硅层之间设有不连续的N+区，所述N+区与所述P型硅层衬底形成NP结，所述N型有源层与第n层P型硅层部分通过P型区接触。
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