[发明专利]一种横向功率MOS高压器件在审
| 申请号： | 201711302604.1 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109904230A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 胡盛东;黄野;杨冬;袁琦;郭经纬;林智 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 崔自京 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 多层 高压器件 横向功率 电场 不连续 衬底电势 横向电场 优化器件 纵向电场 常规的 钉扎 耗尽 击穿 漏端 埋设 主结 引入 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种横向功率MOS高压器件，其特征在于，包括多层衬底P型硅层、N型有源层和P型区，所述N型有源层设置于多层衬底P型硅层的上方，所述多层衬底P型硅层包括n层P型硅层，所述P型硅层的层数n为大于或等于2的整数，第n层P型硅层与第(n-1)层P型硅层之间设有不连续的N+区，所述N+区与所述P型硅层衬底形成NP结，所述N型有源层与第n层P型硅层部分通过P型区接触。
2.根据权利要求1所述一种横向功率MOS高压器件，其特征在于，所述N型有源层包括P-Body区和漏N+区，所述P-Body区底部与P型区接触，所述P-Body区内设有源N+区和源P+区，紧贴所述源N+区和源P+区的上方设置有源电极，紧贴所述漏N+区上方设置有漏电极，所述源电极与所述漏电极之间设置有场氧化硅层，所述场氧化硅层内设有多晶硅栅，紧贴所述多晶硅栅下表面设置有栅氧化硅层，所述P-Body区同时与源P+区、源N+区和栅氧化硅层接触。
3.根据权利要求1所述一种横向功率MOS高压器件，其特征在于，所述N型有源层为Si、SiC、GaN半导体材料中的一种或多种。
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