[发明专利]垂直式铁电薄膜储存晶体管和资料写入及读出方法在审
| 申请号： | 201711293836.5 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN109904229A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘福洲 | 申请（专利权）人： | 萨摩亚商费洛储存科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;G11C11/22 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393 | 代理人： | 夏声平 |
| 地址： | 萨摩亚阿皮亚保得利信*** | 国省代码： | 萨摩亚;WS |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种垂直式铁电薄膜储存晶体管及应用其上的资料写入方法与资料读出方法，该垂直式铁电薄膜储存晶体管包括：一基底，具有一第一表面；一第一导线结构，位于该第一表面上方；一第一绝缘层，位于该第一导线结构上方；一第二导线结构，位于该第一绝缘层的表面上；一第二绝缘层，位于该第二导线结构上方；一垂直孔，以与该第一表面垂直的方向穿过该第二绝缘层、该第二导线结构、该第一绝缘层、该第一导线结构及该基底；一通道层，位于该垂直孔的孔壁表面，并与该第一导线结构及该第二导线结构完成电性接触；一内介电层；一铁电层；一栅极结构；以及一第三导线结构，位于该第二绝缘层上方或该基底中，与该栅极结构完成电性接触。 | ||
| 搜索关键词： | 导线结构 绝缘层 储存晶体管 第一表面 铁电薄膜 垂直式 基底 电性接触 栅极结构 垂直孔 读出 写入 孔壁表面 内介电层 垂直的 铁电层 通道层 穿过 应用 | ||
【主权项】：
1.一种垂直式铁电薄膜储存晶体管，其特征在于，该垂直式铁电薄膜储存晶体管包括：一基底，具有一第一表面；一第一导线结构，位于该基底的该第一表面上方；一第一绝缘层，位于该第一导线结构上方；一第二导线结构，位于该第一绝缘层的表面上；一第二绝缘层，位于该第二导线结构上方；一垂直孔，以与该第一表面垂直的方向穿过该第二绝缘层、该第二导线结构、该第一绝缘层、该第一导线结构与该基底；一通道层，位于该垂直孔的孔壁表面，并与该第一导线结构及该第二导线结构完成电性接触；一内介电层，位于该垂直孔中的该通道层的一侧；一铁电层，位于该垂直孔中的该内介电层的一侧；一栅极结构，位于该垂直孔中的该铁电层的一侧；以及一第三导线结构，位于该第二绝缘层上方或该基底中，且该第三导线结构与该栅极结构完成电性接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于萨摩亚商费洛储存科技股份有限公司，未经萨摩亚商费洛储存科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711293836.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
