[发明专利]具有栅极高度缩放的半导体结构

摘要

本发明涉及具有栅极高度缩放的半导体结构。本公开涉及半导体结构，并且更特别地，涉及具有栅极高度缩放的半导体栅极结构以及制造方法。该方法包括：用硬掩模材料形成至少一个虚设栅极结构；在至少一个虚设栅极结构的侧面上的源极和漏极区之上形成多种材料；去除硬掩模材料中的上部材料，使得硬掩模材料中的第一材料保留在虚设栅极结构上并且与多种材料中的阻挡材料一起保持均一的栅极高度；通过去除虚设栅极结构的剩余材料以形成沟槽并在沟槽中沉积替代栅极材料来形成替代栅极结构；以及形成到源极区和漏极区的接触。

主权项

1.一种方法，包括：用硬掩模材料形成至少一个虚设栅极结构；在所述至少一个虚设栅极结构的侧面上的源极和漏极区之上形成多种材料；去除所述硬掩模材料中的上部材料，使得所述硬掩模材料中的第一材料保留在所述虚设栅极结构上并且与所述多种材料中的阻挡材料一起保持均一的栅极高度；通过去除所述虚设栅极结构的剩余材料以形成沟槽并在所述沟槽中沉积替代栅极材料来形成替代栅极结构；以及形成到所述源极和漏极区的接触。