[发明专利]一种二硫化钼插层材料的制备方法有效
| 申请号： | 201711286874.8 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108054359B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 杨金虎;冯楠;黄继梅;祖连海;刘光磊 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/58 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二硫化钼插层材料的制备方法，(1)将钼酸钠、硫代乙酰胺混合并加入溶剂溶解；(2)对步骤(1)的混合溶液加热进行溶剂热反应；(3)将步骤(2)得到的产物冷却后离心洗涤；(4)取线性高分子对步骤(3)中获得的产品进行超声混匀插层后，然后转移至冻干机冷冻干燥；(5)将步骤(4)中的样品置于管式炉中煅烧，制备得到二硫化钼插层材料。本发明制备的二硫化钼/碳异质结材料，碳链在层间和片间的支撑，不仅提供了层间活性位点，而且为片间离子传输提供了快捷通道，同时还大大提高了二硫化钼的导电性，使得每个片层都能有效储能，用于超级电容器中具有比容量高、循环性能好、结构稳定等特点，是一种优良的储能材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二硫化钼插层材料的制备方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：(1)将钼酸钠、硫代乙酰胺混合并加入溶剂溶解；(2)对步骤(1)的混合溶液加热进行溶剂热反应；(3)将步骤(2)得到的产物冷却后离心洗涤；(4)取线性高分子对步骤(3)中获得的产品进行超声混匀插层后，然后转移至冻干机冷冻干燥；(5)将步骤(4)中的样品置于管式炉中煅烧，制备得到二硫化钼插层材料。
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