[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711285404.X | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109904072B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;刘盼盼;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在基底上形成若干分立的栅极结构；形成粘附层、停止层和第一介质层，所述粘附层位于栅极结构两侧的基底表面以及栅极结构侧壁，所述停止层位于粘附层表面，所述第一介质层位于基底上且覆盖栅极结构侧壁，所述停止层位于第一介质层和粘附层之间停止层粘附层；刻蚀所述栅极结构两侧的第一介质层，在栅极结构两侧的第一介质层中形成凹槽，所述凹槽的底部暴露出停止层，刻蚀栅极结构两侧的第一介质层的工艺对粘附层的刻蚀速率大于对第一介质层的刻蚀速率且小于对停止层的刻蚀速率。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在基底上形成若干分立的栅极结构；形成粘附层、停止层和第一介质层，所述粘附层位于栅极结构两侧的基底表面以及栅极结构侧壁，所述停止层位于粘附层表面，所述第一介质层位于基底上且覆盖栅极结构侧壁，所述停止层位于第一介质层和粘附层之间；刻蚀所述栅极结构两侧的第一介质层，在栅极结构两侧的第一介质层中形成凹槽，所述凹槽的底部暴露出停止层，刻蚀栅极结构两侧的第一介质层的工艺对粘附层的刻蚀速率大于对第一介质层的刻蚀速率且小于对停止层的刻蚀速率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711285404.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于自终止转移的大功率器件及其制备方法
- 下一篇：半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
