[发明专利]半导体器件和方法有效
| 申请号： | 201711270350.X | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109216456B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 杨柏峰;张哲诚;巫柏奇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了制造工艺和器件，其中，在衬底内形成第一开口。使用第二蚀刻工艺将第一开口重塑为第二开口。利用自由基蚀刻实施第二蚀刻工艺，其中，自由基蚀刻利用中性离子。因此，减小衬底的推动。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上方形成栅极堆叠件；利用第一蚀刻工艺在所述半导体衬底中形成第一开口；以及使用与所述第一蚀刻工艺不同的第二蚀刻工艺将所述第一开口重塑为第二开口，其中，所述第二蚀刻工艺是自由基蚀刻工艺。
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