[发明专利]化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法在审
申请号: | 201711268163.8 | 申请日: | 2017-12-05 |
公开(公告)号: | CN108034934A | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
发明(设计)人: | 袁国梁;乔栓虎;潘绍云 | 申请(专利权)人: | 山东电盾科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C18/40 | 分类号: | C23C18/40;C23C18/18;B22F1/02 |
代理公司: | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人: | 任永哲;马俊荣 |
地址: | 255188 山东省淄博市淄*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于功能材料制备技术领域,具体涉及一种化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法。基材预处理,化学镀铜液的配制,对氧化硅粉末实施化学镀铜,即得。本发明的技术方案具有镀铜工艺简便、涂覆速度快、涂层厚度均匀、与基底结合良好、涂层表面光洁度高等优点;所用镀铜液配方不含任何有毒有害物质,施镀过程中也不排放有害物质。 | ||
搜索关键词: | 化学 镀铜 法制 氧化 粉末 导电 填料 方法 | ||
【主权项】:
1.一种化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法,其特征在于步骤如下:(1)基材预处理:①粗化处理:将氧化硅粉末放入粗化液中搅拌,粗化后过滤,用去离子水清洗至PH值为6.0-8.0;②敏化活化处理:将上述粗化处理后的氧化硅粉末放入敏化活化液中,加热敏化活化液,间歇搅拌,然后过滤,用去离子水清洗至中性,烘干待用;(2)化学镀铜液的配制:用去离子水将CuSO4 ·5H2 O配制成浓度为15-30g/L的溶液,然后用氢氧化钠溶液调节CuSO4 ·5H2 O溶液的PH值至12-14;用去离子水将酒石酸钾钠、甲醛和乙二胺四乙酸二钠配制成混合溶液;将上述CuSO4 ·5H2 O溶液一边搅拌,一边加入到酒石酸钾钠、甲醛和乙二胺四乙酸二钠配制成的混合溶液中,同时用氢氧化钠溶液调节混合溶液的PH值保持在12-14后,获得澄清、无沉淀的化学镀铜液;(3)对氧化硅粉末实施化学镀铜:将上述化学镀铜液和敏化活化处理后的氧化硅粉末预热,然后将预热后的氧化硅粉末在搅拌状态下加入化学镀铜液中进行镀铜,即得。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东电盾科技股份有限公司,未经山东电盾科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711268163.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:立体复合板材加工生产线
- 下一篇:一种用于治疗一、二度冻伤的中药组合物
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理