[发明专利]化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法

权利要求书

1.一种化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法，其特征在于步骤如下：

(1)基材预处理：

①粗化处理：将氧化硅粉末放入粗化液中搅拌，粗化后过滤，用去离子水清洗至PH值为6.0-8.0；

②敏化活化处理：将上述粗化处理后的氧化硅粉末放入敏化活化液中，加热敏化活化液，间歇搅拌，然后过滤，用去离子水清洗至中性，烘干待用；

(2)化学镀铜液的配制：

用去离子水将CuSO4·5H2O配制成浓度为15-30g/L的溶液，然后用氢氧化钠溶液调节CuSO4·5H2O溶液的PH值至12-14；用去离子水将酒石酸钾钠、甲醛和乙二胺四乙酸二钠配制成混合溶液；

将上述CuSO4·5H2O溶液一边搅拌，一边加入到酒石酸钾钠、甲醛和乙二胺四乙酸二钠配制成的混合溶液中，同时用氢氧化钠溶液调节混合溶液的PH值保持在12-14后，获得澄清、无沉淀的化学镀铜液；

(3)对氧化硅粉末实施化学镀铜：

将上述化学镀铜液和敏化活化处理后的氧化硅粉末预热，然后将预热后的氧化硅粉末在搅拌状态下加入化学镀铜液中进行镀铜，即得。

2.根据权利要求1所述的化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法，其特征在于步骤(1)中所述的粗化液为氢氟酸溶液。

3.根据权利要求1所述的化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法，其特征在于步骤(1)中所述的粗化处理中搅拌温度为40-50℃，搅拌时间为25-30min。

4.根据权利要求1所述的化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法，其特征在于步骤(1)中所述的氧化硅粉末的纯度含量﹥99.5％，平均粒径为100μm。

5.根据权利要求1所述的化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法，其特征在于步骤(1)中所述的敏化活化液是用浓度为0.1-0.8g/L的PbCl2和浓度为15-30g/L的SnCl2·2H2O按体积比1:1混合制得。

6.根据权利要求1所述的化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法，其特征在于步骤(1)中所述的加热温度为30-40℃。

7.根据权利要求1所述的化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法，其特征在于步骤(1)中所述的间歇搅拌时间为25-30min。

8.根据权利要求1所述的化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法，其特征在于步骤(2)中所述的混合溶液中酒石酸钾钠的浓度为20-40g/L，甲醛的浓度为10-90ml/L，乙二胺四乙酸二钠的浓度为20-60g/L。

9.根据权利要求1所述的化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法，其特征在于步骤(3)中所述的预热温度为30-40℃。

10.根据权利要求1所述的化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法，其特征在于步骤(3)中所述的化学镀铜液的用量为每100g氧化硅粉末加入600-900ml化学镀铜液。