[发明专利]一种MEMS气压传感器以及提高其长期稳定性的方法有效
| 申请号： | 201711268039.1 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN108072477B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 焦海龙;王建;陈杉杉;赵聪;杨贵玉;杨挺;尹玉刚;金小锋;张世名 | 申请（专利权）人： | 北京遥测技术研究所;航天长征火箭技术有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 庞静 |
| 地址： | 100076 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS气压传感器以及提高其长期稳定性的方法，属于MEMS传感器技术领域。所述MEMS气压传感器包括应力隔离衬底，应力隔离衬底由厚度大于气压敏感薄膜的最大特征尺寸的玻璃材料制成，其远离键合连接面的一侧与传感器气压敏感结构气压敏感薄膜相对的位置加工有坑槽结构，该应力隔离衬底与传感器的敏感芯片或者敏感元件的气压敏感结构衬底通过芯片键合工艺组装在一起，用于削减气压敏感结构所受到的由于封装和装配引起的热应力和残余应力，可以优化传感器温度特性和稳定性。此外，对封装有应力隔离衬底的敏感芯片或者敏感元件以及传感器进行高低气压循环处理和高低温度循环处理的方法，可以进一步提高MEMS传感器长期稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 气压 传感器 以及 提高 长期 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS气压传感器，其特征在于：包括应力隔离衬底，所述应力隔离衬底(201)与MEMS气压传感器的敏感芯片或者敏感元件的气压敏感结构(101)衬底通过芯片键合工艺组装在一起，用于削减气压敏感结构(101)所受到的由于封装和装配引起的热应力和残余应力，该应力隔离衬底(201)由厚度大于气压敏感薄膜(103)的的最大特征尺寸的玻璃材料制成，其远离键合连接面的一侧与气压敏感结构(101)中气压敏感薄膜(103)相对的位置加工有坑槽结构(202)。
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