[发明专利]改善钕铁硼加工性能的制备方法有效
申请号: | 201711267456.4 | 申请日: | 2017-12-05 |
公开(公告)号: | CN107910154B | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 张英伟 | 申请(专利权)人: | 京磁材料科技股份有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F1/08;C22C38/06;C22C38/16;C22C38/10;C22C38/12 |
代理公司: | 11369 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 史霞 |
地址: | 101300 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种改善钕铁硼加工性能的制备方法,步骤包括:1)选取钕铁硼烧结原材料,所述原材料按重量百分比,其中稀土为28.9~33.0%,铁为63~68%,硼为0.88~1.1%,Al、Cu、Co、Nb、Ga、Bi为2~4%,Dy、Tb、Ho为0~5%,其中Bi为0.03~0.15%,Ga为0.1~0.2%,且以Ga‑Bi合金的形式加入;2)将步骤1选取的原材料制备成钕铁硼磁体。本发明提高熔炼过程金属铋的收得率;提高了磁体性能,磁体的晶粒得到细化且晶粒均匀;改善加工性能,磁体的加工合格率提高,加工性能得到改善。 | ||
搜索关键词: | 改善 钕铁硼 加工 性能 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.改善钕铁硼加工性能的制备方法,其特征在于,步骤包括:/n1)选取钕铁硼烧结原材料,所述原材料按重量百分比,其中稀土为28.9~33.0%,铁为63~68%,硼为0.88~1.1%,Al、Cu、Co、Nb、Ga、Bi为2~4%,Dy、Tb、Ho为0~5%,其中Bi为0.03~0.15%,Ga为0.1~0.2%,且以Ga-Bi合金的形式加入;/n2)将选取的原材料装入甩带炉熔炼,熔炼温度为1410~1480℃,然后铸成厚度为0.2~0.4mm的合金铸片;/n3)将合金铸片进行氢爆处理,制得粗粉,粉末粒度为400~600μm;/n4)向粗粉中加入添加剂,搅拌均匀;/n5)使用气流磨对搅拌后的粉末进行研磨制得细粉,粉末粒度为2.6~3.4μm;/n6)在细粉中加入润滑剂,搅拌均匀;/n7)在1.6T~2.0T的磁场下,将步骤5制得的粉末压制成型,再进行冷等静压,压力为180~230MPa,得到的压坯密度为4.5~4.8g/cm
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