[发明专利]一种使用深N阱隔离的MRAM芯片在审
| 申请号： | 201711250206.X | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN109873008A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;王志刚 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用深N阱隔离的MRAM芯片，所述MRAM芯片包括MRAM器件及电路、P型半导体衬底、N阱和深N阱；所述N阱位于所述MRAM器件及电路外围，所述深N阱位于所述MRAM器件及电路下方，所述N阱底部与所述深N阱连接在一起，对所述MRAM器件及电路形成三维N阱‑深N阱隔离。本发明能够有效隔绝噪音，提高MRAM芯片读出稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 深N阱 芯片 电路 隔离 电路形成 衬底 读出 三维 噪音 外围 | ||
【主权项】：
1.一种使用深N阱隔离的MRAM芯片，所述MRAM芯片包括MRAM器件及电路、P型半导体衬底、N阱和深N阱，其特征在于，所述P型半导体衬底位于所述MRAM器件及电路下方；所述N阱和所述深N阱位于所述P型半导体内；所述N阱位于所述MRAM器件及电路外围，所述深N阱位于所述MRAM器件及电路下方，所述N阱底部与所述深N阱连接在一起，对所述MRAM器件及电路形成三维N阱‑深N阱隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
