[发明专利]三维半导体存储器件

摘要

公开了一种三维半导体存储器件。该三维半导体存储器件包括：公共源极区域、在公共源极区域之间的电极结构、穿透电极结构的第一沟道结构以及在第一沟道结构之间并穿透电极结构的第二沟道结构。所述电极结构包括垂直堆叠在衬底上的电极。所述第一沟道结构包括第一半导体图案和第一垂直绝缘层。所述第二沟道结构包括围绕第二半导体图案的第二垂直绝缘层。所述第二垂直绝缘层的底面低于第一垂直绝缘层的底面。

主权项

一种三维半导体存储器件，包括：公共源极区域，在衬底中彼此间隔开并沿第一方向延伸；电极结构，位于彼此相邻的公共源极区域之间并沿第一方向延伸，所述电极结构包括垂直堆叠在所述衬底上的电极；第一沟道结构，穿透所述电极结构并包括第一半导体图案和第一垂直绝缘层；以及第二沟道结构，位于彼此相邻的第一沟道结构之间并穿透所述电极结构，所述第二沟道结构包括第二半导体图案和第二垂直绝缘层，其中所述第二垂直绝缘层围绕所述第二半导体图案并在所述衬底和所述第二半导体图案的底面之间延伸，且其中所述第二垂直绝缘层的底面低于所述第一垂直绝缘层的底面。