[发明专利]一种OLED发光结构的制备方法及OLED发光结构在审

专利信息
申请号: 201711226657.X 申请日: 2017-11-29
公开(公告)号: CN107994126A 公开(公告)日: 2018-05-04
发明(设计)人: 徐苗;李民;张伟;邹建华;庞佳威;陈子楷;陶洪;王磊;彭俊彪 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京品源专利代理有限公司11332 代理人: 孟金喆
地址: 510641 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了OLED发光结构的制备方法及OLED发光结构,OLED发光结构包括多个像素区,像素区至少包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区,OLED发光结构的制备方法包括提供衬底;在衬底上形成反射电极;采用原子层沉积法,在反射电极远离衬底一侧的第二子像素区形成第一透明电极,以及在反射电极远离衬底一侧的第三子像素区形成依次叠层的第一透明电极和第二透明电极,以使第一子像素区出射蓝光,第二子像素区出射绿光,第三子像素区出射红光。本发明实施例通过采用原子层沉积法形成OLED发光结构的光学调节层,避免光学调节层结晶,使得光学调节层的薄膜生长均匀,可精确控制光学调节层的厚度,提高出射光的色纯度。
搜索关键词: 一种 oled 发光 结构 制备 方法
【主权项】:
一种OLED发光结构的制备方法,所述OLED发光结构包括多个像素区,每个所述像素区至少包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上形成反射电极;采用原子层沉积法,在所述反射电极远离所述衬底一侧的所述第二子像素区形成第一透明电极,以及在所述反射电极远离所述衬底一侧的所述第三子像素区形成依次叠层的第一透明电极和第二透明电极,以使所述第一子像素区出射蓝光,所述第二子像素区出射绿光,所述第三子像素区出射红光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711226657.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top