[发明专利]一种OLED发光结构的制备方法及OLED发光结构

权利要求书

1.一种OLED发光结构的制备方法，所述OLED发光结构包括多个像素区，每个所述像素区至少包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成反射电极；

采用原子层沉积法，在所述反射电极远离所述衬底一侧的所述第二子像素区形成第一透明电极，以及在所述反射电极远离所述衬底一侧的所述第三子像素区形成依次叠层的第一透明电极和第二透明电极，以使所述第一子像素区出射蓝光，所述第二子像素区出射绿光，所述第三子像素区出射红光。

2.根据权利要求1所述的OLED发光结构的制备方法，其特征在于，所述采用原子层沉积法，在所述反射电极远离所述衬底一侧的所述第二子像素区形成第一透明电极，以及在所述反射电极远离所述衬底一侧的所述第三子像素区形成依次叠层的第一透明电极和第二透明电极，包括：

采用原子层沉积法，在所述反射电极远离所述衬底的一侧沉积第一透明电极层；

图案化所述第一透明电极层，在所述第二子像素区和所述第三子像素区形成第一透明电极；

采用原子层沉积法，在所述反射电极以及所述第二子像素区和所述第三子像素区的第一透明电极远离所述衬底的一侧沉积第二透明电极层；

图案化所述第二透明电极层，在所述第三子像素区形成第二透明电极。

3.根据权利要求2所述的OLED发光结构的制备方法，其特征在于，所述采用原子层沉积法，在所述反射电极远离所述衬底的一侧沉积第一透明电极层，包括：

在沉积温度为200℃的条件下，将ZnO和In₂O₃按照10：1的循环比在原子层沉积系统中重复反应30次，在所述反射电极远离所述衬底的一侧形成IZO薄膜；

在图案化所述第一透明电极层之后，还包括：

在250℃的环境温度下对所述IZO薄膜进行退火处理。

4.根据权利要求3所述的OLED发光结构的制备方法，其特征在于，制备所述ZnO所采用的前驱体源为DEZ与H₂O，制备所述ZnO包括：

往腔体通入DEZ源气体，进行化学吸附，通入时间为0.4s，腔体压强为0.432毫托；

真空抽离多余的所述DEZ源气体，抽离时间为8s；

往腔体通入H₂O源气体，进行化学吸附，通入时间为0.4s；

利用真空抽离多余的所述H₂O源气体，抽离时间为8s；

制备所述In₂O₃所采用的前驱体源为TMIn与H₂O，制备所述In₂O₃包括：

往腔体通入TMIn源气体，进行化学吸附，通入时间为0.4s，腔体压强为0.432毫托；

真空抽离多余的所述TMIn源气体，抽离时间为8s；

往腔体通入H₂O源气体，进行化学吸附，通入时间为0.2s；

真空抽离多余的所述H₂O源气体，抽离时间为8s。

5.根据权利要求3所述的OLED发光结构的制备方法，其特征在于，所述IZO薄膜的厚度为60nm，电阻率为1.2×10^-3Ω·cm。

6.根据权利要求2所述的OLED发光结构的制备方法，其特征在于，所述采用原子层沉积法，在所述反射电极以及所述第二子像素区和所述第三子像素区的第一透明电极远离所述衬底的一侧沉积第二透明电极层，包括：

在沉积温度为200℃的条件下，将ZnO和Al₂O₃的按照19：1的循环比在原子层沉积系统中重复反应12次，在所述反射电极以及所述第二子像素区和所述第三子像素区的第一透明电极远离所述衬底的一侧形成AZO薄膜。